磁分析器中磁场径向不均匀对离子运动的影响

本文通常考虑离子注入磁分析器是理想均匀磁场,离子运动轨迹是在圆弧的基础上,考虑了实际的磁场沿径向不均匀时对离子运动的影响,并进行了分析计算,得出实际磁分析器中离子运动轨迹是以圆弧为中心的振荡曲线,从而为更好地设计磁分析器提供了新的理论依据。     

四探针研究N~+注入Si的退火特性

本文用四探针法测量了在不同剂量和不同能量下的N~+注入Si后的薄层电阻率及其退火效应,结果表明,N~+注入Si的退火特性曲线为“W”形,曲线中的两个波谷是两个好的退火区:其中间的波峰是逆退火区,在退火温度为1080℃附近时,当注入剂量为1×10~(14)N~+/cm~2,注入能量为170kev和注入剂量为5×10~(14)N~+/cm~2注入能量为160 kev时,薄层电阻率都有急剧增大的趋势,最后,本文对上述这些实验结果进行了初步的分析和讨论。     

分析完全电离等离子体扩散问题的边界单元法

完全电离等离子体中的密度扩散问题可归结为在一定的定解条件下求解方程αn/αt=A▽~2n~2,由于它是非线性方程,不存在简单解析解。本文采用边界单元法对它进行了分析、讨论,从而给出一种定量的关于完全电离等离子体密度扩散的分析方法。     

椭圆偏振光研究N2^＋注入Si的退火特性

本文用椭圆偏振仪测量了在不同剂量和不同能量下的N_2~+注入Si后的随偏参数ψ和Δ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系,同时,我们在N_2气氛中对离子注入片进行等时热退火,然后测量ψ和Δ,给出了N_2~+注入Si的退火特性,结果表明:N_2~+注入Si的退火特性曲线,对不同的注入剂量和注入能量分别为“υ”形和“W”形。     

等离子体腐蚀特性

等离子体腐蚀是七十年代初期在半导体工业中发展起来的一项新技术。在集成电路、特别是 N 沟硅栅 MOS 集成电路中,用它来腐蚀多晶硅和氮化硅显示出巨大的优越性。本文深入地讨论了等离子体腐蚀机理,给出了若干等离子体腐蚀特性的实验测量结果,并给了等离子体腐蚀的最佳工作条件。     

椭圆偏振光研究O_2~+注入Si的退火特性

用椭圆偏振仪测量了O+2 注入Si后的椭偏参数Φ和Δ ,给出了离子注入辐射损伤与注入剂量和注入能量的关系 .同时 ,对离子注入片在N2 气氛中进行等时热退火 ,测量了Φ和Δ ,给出了O+2 注入Si的退火特性 .结果表明 :O+2 注入Si的退火特性曲线 ,对不同的注入剂量和注入能量分别为“V”形和“W”形 .对此结果 ,我们进行了初步地分析和讨论     

金红石结构空间群选择定则

本文简要把讨论了空间群选择定则的计算方法,计算了金红石结构双空间群在布里渊区内八个高对称点的可约表示直积的简约系数,从而得到了该结构在其布里渊区内的跃迁和散射的选择定则.     

As^＋注入Si中的晶格应变

本文借助于双晶Ｘ射线衍射和椭圆偏光谱研究了注入能量为１６０ｋｅＶ,不同剂量６和不同退火温度（５００－７００℃）Ａｓ＾＋注入Ｓｉ的性质。用Ｘ射线衍射的动力学理论和多层模型拟 了双晶衍射的摇摆曲线,得到了晶格应变随深度的分布。     

双晶衍射研究O2^＋注入Si

本文用双晶衍射给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的摇摆曲线．用Ｌｅｖｅｎｂｅｒｇ—Ｍａｒｇｕａｒａｔ法模拟实验曲线，根据ｘ射线衍射的运动学理论，计算了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ后，晶格应变随注入深度、注入剂量和退火温度的变化．我们还给出了Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ的椭偏参数、△，并将它们换算成折射率ｎ．结果表明，Ｏ＿２￣＋注入Ｓｉ引起晶体微观结构的变化—晶格应变与晶体宏观光学性质—折射率的变化基本上一致．     

空间群选择定则的计算——对谢希德、陈孝琛方法的改进

本文讨论了一般空间群选择定则的计算方法,并对 J.L.Birman方法和谢希德、陈孝琛方法做了改进。