宽带低附加相移可变增益放大器

基于130 nm BiCMOS(Bipolar Complementary Metal Oxide Semiconductor)工艺提出一款超宽带低附加相移可变增益放大器.该设计采用可变增益放大器和开关衰减器的组合结构,其中可变增益放大器在宽带、高效率的反馈式放大器的基础上通过改变偏置实现增益控制,而开关衰减器的应用在拓宽增益控制范围的同时减小了偏置变化范围,从而减小了不同增益状态下的附加相移.提取版图寄生参数后的仿真结果表明：在1.6 V供电电压下,该可变增益放大器在3.5～11 GHz范围内增益平坦度小于±0.75 dB,增益控制范围为-22～10 dB,增益步进值为0.5 dB,噪声系数小于6.5dB,不同增益状态下的附加相移小于±5°,电路输出1 dB压缩点大于12 dBm,动态功耗小于155 mW.该可变增益放大器拓扑在满足项目需求的同时为减小可变增益放大器的附加相移提供了一种思路.     

甚小口径终端功率放大链路的射频仿真

介绍了低成本VSAT的射频功率放大链的射频仿真设计情况。在仿真中，根据应用环境以及技术指标的要求，通过利用ANSOFT symphony软件进行了系统仿真选择了放大链路的放大级数以及各级的增益和功率输出值，同时，依据电路的空间要求以及低成本要求，选择了各级放大器的电路形式、采用的器件和基片材料，对各级放大电路利用MWOFFICE软件进行了仿真设计。并根据大系统的要求对该放大链提供了功率检测控制点和功率控制开关。研制结果该电路在5925MHz-6425MHz范围内增益为67分贝、通道起伏小于2分贝，输出功率为5W，开关比为30分贝，满足系统指标要求。