测半导体吸收特性的一种可行方法

本文提出一种通过测透射比直接获得半导体吸收特性的方法──“差比法”,并通过实验证实了这种方法的可行性。本文还就此方法的优缺点进行简要的讨论。     

对纵向莫尔条纹测微系统中几个问题的分析

本文分析了纵向莫尔条纹在微小位移测量系统中的能量分布及稳定性。     

Bi系银包套多芯带材焊接的实验研究

对Bi 2223/ Ag多芯高温超导带材的焊接技术进行实验研究.焊接采用单轴方向不同压力下进行压接;另外在压接后,对不同压力压接下的样品进行热处理.实验结果表明:在77 K自场条件下,超导接头在压应力约为1.96×107 N/m2和热处理温度约为850 ℃时,得到焊接接头具有最高临界电流,其自场下临界电流约为带材临界电流的85%.     

切向光栅对的构成及特性分析

经过理论分析得出了与切向光栅对各种构成方式对应的莫尔条纹间距的定量关系式.设计制作了1组光栅,并进行了实际测量,结果表明所得关系式与实测结果符合得很好.这对在"位置细分"技术中开拓排布光电传感器所需空间、提高测量分辨率和测量精度十分有利.     

用剥层称重法研究InSb单晶缺陷形态

本文用普通的剥层称重法测绘出了重要红外探测材料锑化铟单晶位错等缺陷蚀坑的几何形态,并成功地在晶片纵断面上直接拍摄了相应蚀坑剖面的照片。测绘结果与剖面照片相当一致,这说明剥层称重法在研究半导体单晶缺陷的工作中仍是一种可行的方法。     

掺杂半导体的电离率

本文从电子占据能级的几率出发,经过严格数学推导,得到了杂质半导体的电离率、电离能、浓度及温度各量关系的一般表达式,并与某些极端条件下的近似结果进行了比较。分析表明,本文得到的表达式具有普遍意义,该关系式对于分析上述各量关系,特别是在非极端条件下,具有实际意义。     

用光学方法测量半导体禁带宽度的温度系数

本文提出了一种测量半导体禁带宽度温度系数的方法,推导出一个求dEg/dT的公式。利用这一公式,在室温附近测量计算了砷化镓单晶的禁带宽度温度系数,得到结果为-3.97×10~(-4)ev/k,这与人们公认的-3.95×10~(-4)ev/k极其接近,说明作为一种基本测量方法,是切实可行的。     

不等距光栅及其对位移的放大作用

本文通过实验观察到光栅常数略有差异的两块光栅平行迭放时出现的纵向暗条纹及其对位移的放大作用。推导出暗条纹间距及放大倍数与光栅常数的关系式。原则上提出一种测量微小位移的可行方法。     

2个通电圆线圈轴线上磁场分布均匀性分析

从基本物理原理出发,推出了2个同轴通电圆线圈在线圈间距任意的情况下轴线上任意一点处磁感应强度的一般表达式,利用理论分析和实验测量相结合的方法确定了最佳磁场均匀度对应的线圈间距.结果表明:2线圈之间的距离为线圈半径的1.18倍时与通常认为的1倍相比,线圈间磁场均匀度更好一些.