应用光伏方法估算硅单晶表面态俘获截面

提出一个可以非破坏性地估算半导体单晶的表面态俘获截面σon和σ-p的新方法.此法基于变温光伏测量，采用（111）p型硅单晶（NA=1.5×1016cm-3）为实验样品.由于表面势垒高度ΦBP=0.5756V,表面复合速度sn=4.8×103cm*s-1以及表面态密度Ds=6.7×1011cm-2*eV-1可由光伏方法测算，则表面态俘获截面σon≈5×10-13cm2与σ-p≈2×10-12cm2可通过应用Shockley-Read体复合理论于表面而被估算.此结果与其它方法得到的有关报导的结果相一致.     

氧化层错与固定电荷

本文叙述了为研究热氧化工艺中生长的氧化层错与固定电荷的成因及其抑制、消除或减少途径而设计的有关实验,对所得到的各实验结果,均可应用Sanders等人的空位发射机构以及S·M·Hu模型作定性说明,从而得出若干结论。     

p—Si单晶低表面复合速度的获得

提出减低p-Si单晶表面复合速度参数值的两个有效的方法，解释了其不同的作用机理。实验表明，经HF腐蚀处理过的p-Si单晶，自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低1个量级以上；而对于同一p-Si单晶，置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低2个量级以上。     

半导体材料特性和参数研究

提出超晶格(AlAs/GaAs)和应变超晶格（Gex-Si,InxGa1-xAs/GaAs)光伏效应的机理,测量了不同温度下的光伏谱,光伏曲线反映了台阶二维状态密度分布并观察到跃迁峰。计算了导带和价带子带的位置和带宽,根据宇称守恒确定光路迁选择定则,对路迁峰进行指认。研究了光伏随温度变化、激子谱峰半高宽随温度和阱宽的变化,讨论谱峰展宽机制中的声子关联,混晶组分起伏及界面不平整对线宽的影响。测量了元素和化合物半导体单晶材料的室温、低温下的表面光电压谱,推导了有关计算公式,计算得出电学参数（L、n0 、μ、S、W）、深能级和表面能级位置、带隙和化合物组分;分析了电学参数的温度关系;由双能级复合理论,研究了少子扩散长度与深能级关系,计算了深能级浓度和参数。在不同条件下研制了二氧化锡/多孔硅/硅（SnO2/PS/Si)和二氧化锡/硅（SnO2/Si),测量了它们的光伏谱,分析表明它们存在着异质结。当样品吸附还原性气体（H2、CO、液化石油气）时,光电压有明显变化,因此可做为一种新的敏感元件。分析了它们的吸附机理,计算了有关参数。     

N－Ga_（1－x）Al_xAs的低温光伏特性

报道了Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ低温光伏的异常特性．在暗条件下降温的样品，其低温光伏的初始强度比受光照的样品的光伏初始强度大得多，对这两种不同初始条件，当样品加热到大约１００～１５０Ｋ时，其低温光伏强度发生跳跃．这些异常特性归因于Ｎ－Ｇａ＿（１－ｘ）Ａｌ＿ｘＡｓ（ｘ＞０．２２）中的ＤＸ中心的电荷态变化．     

N型GaAs单晶表面复合速度的宽谱光伏测算

提出适用于可见光全波段的光伏测算ＧａＡｓ单晶表面复合速度的新方法．实验结果表明，对于掺Ｓｉ的Ｎ型弱简并ＧａＡｓ单晶（ｎ０＝２．０×１０１７ｃｍ－３），其表面复合速度Ｓｐ＝１．６×１０５ｃｍ·ｓ－１，与有关报道基本一致．     

应用光伏方法测定P型半导体表面性质

本文报道了应用变温光伏方法对半导体表面能级,表面态密度的非破坏性测量原理。通过一定的模型简化,将Shockly-Read体复合理论应用于表面,建立起P型半导体表面态对少子电子的俘获截面估算公式。并以P型Si单晶样品进行验证,所得结果同有关报道一致。