C3N4的高压电学特性

利用在金刚石对顶砧(DAC)上的集成微电路技术, 高压原位测量类石墨相C₃N₄的电阻. 实验结果表明, 在293 K, 5 GPa和11 GPa的压力点, 电阻明显下降, 与理论计算的结构相变压力点一致; 在77 K, 5 GPa压力点的电阻基本不变; 11 GPa压力点的电阻变化更明显. 在21 GPa压力点附近, C₃N₄的电阻发生突变, 表明此时存在一个未知的相变.      

高压下ZnS的电输运行为

通过在金刚石对顶砧上集成以氧化铝薄膜为绝缘层的微型测量电路, 原位测量了ZnS电阻率随压力的变化, 证实ZnS的压致相变为半导体到半导体相变, 而非金属化相变, 并发现ZnS相变的可逆性与相变的迟滞现象.      

利用范德堡法在金刚石对顶砧中精确测量样品电阻率

利用有限元分析方法（FEA）对金刚石对顶砧（DAC）中范德堡法测量极微小样品电阻率的误差进行数值模拟与分析, 结果表明, 对于极微小样品, 电极与样品的接触面积是影响电阻率精确测量的重要因素, 测量误差随接触面积的增大而增大, 对半导体材料尤其明显. 当样品厚度与直径的比值小于0.45, 且电极和样品的接触面边长与样品直径的比值小于0.1时, 测量电极是否满足点接触条件, 范德堡法均能给出精确的测量结果.      

在不同衬底上用纳米引晶法选择性生长金刚石薄膜

采用光刻工艺和纳米引晶技术 ,在抛光的单晶 Si衬底上形成带有超细金刚石纳米粉的引晶图案 ,并利用引晶处与抛光 Si处金刚石成核密度的巨大差异 ,在光滑的 Si3N4 和 Mo衬底上实现金刚石薄膜的高选择性生长 .