半导体中热载流子输运的平衡方程方法

本文简略地介绍处理半导体中热载流子输运的一个解析方法——平衡方程方法.这个方法的基本思想是把多载流子系统在电场作用下的输运化为一个单粒子(质心)的经典运动加上相对运动电子在没有电场情况下的多体统计运动.输运的描述只包含几个参量(非均匀情况下是参量场)——平均漂移速度,电子温度,载流子浓度及声子占据数.它们由平衡方程完全决定.如果只考虑到电子-杂质和电子-声子相互作用的最低阶,平衡方程的数学结构十分简单:只包含一个系统的特征函数,即无外电场,也没有杂质、声子散射势时载流子的密度关联函数,从而不需要大量的数值计算就可得到强电场下的输运性质.     

超导膜的临界电流

基于文献[2]所求得的补偿方程和矢势解,研究了T_c附近超导膜的临界电流,特別是討论了两种非局域性——穿透非局域性和尺寸非局域性在超导膜电流效应中的作用。     

多晶超导体的上临界场

实验表明,单晶状态H_(c2)有显著各向异性的一些Ⅱ类超导体,其多晶样品有尖锐的正常-混合态相变.通常认为多晶上临界场等于单晶H_(c2)的空间方向平均.虽然从能带资料出发,按照Hohenberg和Werthamer给出的公式计算H_(c2)(0)的方向平均值,可以解释超导铌h~*(0)的有名的增强,但H-W公式是在弱各向异性近似下得到的,可否用于铌以及带结构各向异性更大的情况,还需要探讨;而且,已有人对H-W的推导提出异议. 关于多晶的超导电性,应考虑到另一特点.由于超导态的长程有序,多晶样品中的配     

关于A15化合物低温电阻率的温度依赖性

一、引言 实验表明,在大约50K以下的温度范围,A15化合物Nb_3Sn,Nb_3Al和Nb_3Ge的正常态电阻率可以相当好地用ρ=ρ0 αT~2的规律描写;V_3Si的电阻率似乎比T~2增加得略快一些;Nb_3Sb的电阻率随T的增加比较快,不能用简单的方幂表达,但在15—25K之间接近T~(3.6);还有一些A15化合物,如Cr_3Si,低温电阻率显示了更快的变化。这些现象的解释目前还是一个有争议的问题。