对称量子点花样体系电容谱

利用从头计算方法, 即基于Gauss基函数的非限制Hartree-Fock-Roothaan (UHFR)方程, 计算对称多量子点花样体系的基态能, 进而研究它们的电子电容谱. 量子点花样中的每一个量子点, 采用球形有限深限制势阱. 结果表明, 计算方法和理论模型不仅能够很好地给出类单量子点的s-壳层和p-壳层的电容峰, 并且给出了对称量子点花样体系电容谱一些新的精细结构. 它将成为研究对称量子点花样体系少电子问题的一种有效可行的方法.     

水稻花期干旱胁迫应答基因Os07g0422100启动子的克隆及鉴定

水稻作为需水量最大的作物之一,对于水分的胁迫异常敏感.对处于花期的水稻进行干旱胁迫处理,利用基因芯片技术筛选出在水稻花穗中特异性表达的应答干旱胁迫的基因Os07g0422100.在对该基因的研究中发现,该基因的表达图谱有较高的专一性,且该基因的启动子属于诱导型启动子,仅在受到干旱胁迫的水稻花穗中表达.利用Os07g04...     

基于DFT+U的方法:二氧化铀中点缺陷稳定性研究

由于二氧化铀中铀原子5f电子的强关联效应,传统的第一性原理密度泛函的方法无法正确的预测出二氧化铀的性质.因此我们采用基于密度泛函理论加Hubbard U项的方法对二氧化铀中的点缺陷进行了计算.在非化学计量比的二氧化铀UO2±x结构中,对不同超原胞的氧间隙原子、氧空位以及铀空位的形成能进行了详细的数值计算,进而研究了缺陷结构的体积和总能的变化规律.在氧缺陷的计算中,发现除氧二聚体的情况除外,随着非化学计量参数x的增加,整个系统的体积呈线性减少的变化;而对于铀空位的计算中,缺陷结构的体积呈现单调非线性的缩小变化.     

球型量子点电子填充性质的研究

利用基于高斯基函数的限制Hartree-Fock-KRoothaan（UHFR）方法，研究球型量子点的剩余量子填充效应，量子点的三给限制势采用了有限深势阱，我们主要考虑量子点内电子相互作用，对于试探波函数中高斯基函数，采用了简化计算的两参数法，在此球型量子点中，可以得到类原子的剩余电子填充的壳层结构。     

石墨烯吸附有机分子硝基苯性质的第一性原理研究

基于量子力学的第一性原理,我们计算了石墨烯吸附有机分子硝基苯的特性.在吸附体系中,吸附分子平面平行于石墨烯衬底时吸附能最大,同时此吸附导致衬底晶格微弱的膨胀.吸附分子平面垂直石墨烯吸附时,吸附能较小,且衬底晶格有微弱的收缩.由于硝基和石墨烯之间较强的相互作用,吸附结构的能带中出现明显的掺杂态.这说明了石墨烯可以作为有机分子硝基苯的化学传感器件之一.     

单层BC7片的储锂容量研究

基于第一性原理密度泛函理论,本文研究了锂离子在单层BC7片两侧的吸附行为．计算结果表明,由于B原子替换了一个C原子,每个BC7原胞缺少一个电子,这使得锂离子和衬底的结合增强,增加了体系的储锂容量．此外,BC7片中符合热力学稳定性的最大储锂容量为1977mAh／g,对应每8个衬底原子可以有效吸附7个锂离子,形成化学计量比BC7Li7,是石墨储锂容量的5．3倍．所以BC7可以作为高容量锂离子电池的潜在负极材料．     

对称量子点花样体系壳层结构的研究

利用从头计算的非限制Hartee-Fock-Roothaan(UHFR)方法．计算三量子点花样体系的基态能，进而研究它的化学势、附加能谱和电子电容谱，对于量子点花样中的每一个量子点。采用球型有限深势阱，计算结果表明，计算方法和理论模型可以很好地给出类单量子点电子的壳层填充结构．     

水表面横向微波一维模型的理论研究

利用水下声信号在水表面引起横向微波振幅很小的条件，将普遍的流体力学方程线性化，推导出水表面一维模型的横向微波色散关系以及波的传播形式。结果表明：水表面横向微波具有波长短、传播速度小的特点，因而可以对入射到表面的激光束进行调制，为水下的声信号检测奠定了理论基础。