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硅太阳电池光谱响应的曲线拟合研究 总被引:4,自引:0,他引:4
陈水熙 《厦门大学学报(自然科学版)》1994,33(6):776-780
从理论和实验对常规和背场硅太阳电池的光谱响应进行研究,利用阻尼最小二乘法对光谱响应进行拟合计算,可得出各区少子扩散度,表面复合速度和结深等参数,计算结果表明,拟合值和实验值的乘余标准离差σ≤3.2%,用等光强表面光伏法对基区少子扩散和蔗进行跟踪监测,观察其随工艺变化况并验证光谱响应拟合结果。 相似文献
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