梯度应变对钛酸钡薄膜介电行为的影响

考虑膜中应变随位置的变化，应用Pertsev热力学理论，研究了BaTiO3薄膜介电常数随温度的变化。发现衬底与膜间热膨胀系数差和膜的沉积温度显著影响介电常数的值及其峰值温度，介电常数随沉积温度的降低而增大，计算结果与实验数据较好地吻合。     

CNAS T0094绒毛混合物纤维含量能力验证评定探讨

按照实验室管理体系要求.组织实验室问比对方法为基础的能力验证是校验验证方法、设备、过程能力、综合能力的有效手段.探讨以统计分析方法来表征纺织检测实验室能力验证结果满意与否.以ISO/IEC导则43:<利用实验室问比对的能力验证>要求为基础,以CNAS T0094绒毛混合物纤维含量能力验证实例计算,通过不确定度评估及比率值En 引进,找到评估能力验证的有效统计方法.     

碳纤维/ZnO复合材料的制备和性能研究

通过对碳纤维表面进行修饰,利用低温液相沉淀法制备了碳纤维/ZnO复合材料并对其结构、形貌和发光性能进行了研究.结果显示,样品的紫外-可见吸收峰约为376nm,相应的带隙宽度约为3.30eV.由样品的荧光光谱得出,样品除了具有位于384nm的微弱的近带边紫外发光峰之外,还有位于597nm的强的绿光发光带.样品经过退火之后,绿光峰降低.这可能归于ZnO中氧空位的减少.通过对原始样品和经过退火处理样品的荧光光谱的研究得出,样品的绿光发射归于氧空位.     

稀磁复合Ising自旋系统基态性质

应用关联有效场理论研究了三维混自旋稀释Ising亚铁磁系统的基态磁特性,计算了铁磁系统相图随原子浓度的变化规律,得出基态磁化强度曲线及补偿温度.     

缺陷钉扎导致的铁电陶瓷介电弛豫

把电荷密度波理论引入到铁电陶瓷的介电温谱研究中。指出陶瓷中缺陷的钉扎效应导致介电响应的弛豫。高温时,集体钉扎主导陶瓷的极化行为;低温时,局域亚稳态的弛豫对极化起决定作用。两者的竞争导致介电峰值的出现。理论计算与试验结果定性吻合。     

BiFeO_3/Bi_（3.25）La_（0.75）Ti_3O_（12）膜的介电弛豫行为研究

认为BiFeO3（BFO）膜和Bi3.25La0.75Ti3O12（BLT）膜都是漏电的弛豫铁电体,应用麦克斯韦-维格纳机制研究了生长在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上的双层膜BiFeO3/Bi3.25La0.75Ti3O12的介电弛豫行为。发现BFO膜的特性显著影响BFO/BLT膜的介电弛豫行为。理论结果在温度高于400K时与实验吻合很好。推断BLT膜的多晶取向及二价铁离子在其中的扩散,导致其中出现杂乱无章的极化纳米微区,BLT膜的弛豫特性则在低温被抑制。     

利用金刚石纳米粉引晶方法制备高硼掺杂金刚石薄膜

利用金刚石纳米粉引晶方法在SiO2衬底上合成了高硼掺杂金刚石薄膜,并利用范德堡法、扫描电镜、激光拉曼方法对不同掺杂量下生长的样品进行了表征.SEM和拉曼谱分析表明,少量掺杂时有利于提高金刚石薄膜的质量,但是随着掺杂量的增加,金刚石薄膜质量开始明显下降;并且拉曼谱峰在500 cm-1和1200 cm-1开始加强,呈现重掺杂金刚石薄膜的典型特征.其电导率随着温度升高而升高,表明导电性质为半导体导电.     

Au原子在Si（001）表面扩散的第一原理研究

本文用第一原理总能理论研究了金属Au在Si（001）面的吸附与扩散。计算表明,Au原子的稳定吸附住置处于顶层四个Si原子的中心,当Au原子处于其它位置时,体系能量较高,Au原子容易向稳定位置扩散。在热运动下,Au原子向衬底内部扩散需要克服较小的势垒,这可能是Au／Si（001）界面存在混合层的原因之一。     

MgⅡ280hm线的共振逃逸因子和跃迁概率的理论计算

基于已得到的佛克脱线型的精确表达式,对于高斯线型和洛伦兹线型,理论计算了组成MgⅡ280nm两条共振线的共振逃逸因子和跃迁概率,在计算过程中,对镁原子的上下能级的碰撞强度、基态数密度和镁等离子体在谱线中心的光学深度进行了分析讨论．计算结果和报道的实验结果相一致。     

锆钛酸铅铁电薄膜相结构研究

用修正的Landau-Devonshire热力学理论研究了应力对Pb（Zr.35Ti.65）O3相结构、介电特性的影响。研究表明：应力诱导结构相变,居里温度随应变（压应变或张应变）作用的增大而升高,有利于铁电相的稳定。