纳米级电子束光刻技术及ICP深刻蚀工艺技术的研究

对100kV高压电子束光刻系统的曝光工艺进行了系统研究,针对正性电子束抗蚀剂ZEP520A进行了工艺参数的优化,在具有合理厚度、可供后续加工的光刻胶上获得了占空比为1：1,线宽为50nm的光栅图形.针对ICP刻蚀工艺进行了深入研究,探讨了刻蚀腔体气压、电极功率、气体流量等工艺参数对刻蚀效果的影响,最终在硅基底上获得了线宽为100nm,占空比为1：1,深度为900nm的光栅图形,光栅的边壁波纹起伏小于5nm.100nm以下深硅刻蚀技术的发展,有利于工作区域在可见光范围的纳米光学器件的制备.     

稀土、钛孕育对中铬铸铁硬度的影响

本文研究了中铬铸铁的孕育.试验指出:用适量稀土孕育可提高中铬铸铁硬度 HRC 2以上,而用钛铁孕育对其硬度影响不大.     

D波段双环锁相信号源性能仿真

利用ADS软件建立了D波段固态器件双环锁相信号源系统的仿真模型,分析了双端口谐波振荡器、谐波混频器等主要功能模块引入的相位噪声对锁相系统性能的影响.通过优化设计环路系统参数,合理设置ADS包络仿真器的控制参数,实现了对0.15THz半导体固态源的锁定,表明了双环锁相技术应用于D波段的可行性.在此基础上,通过时域和频域2种分析方法对锁定状态下0.15THz输出信号的相位噪声进行了预估.该仿真模型也适用于更高频段的太赫兹双环锁相系统的仿真分析,可为太赫兹锁相系统研制提供有效的分析与设计手段.     

毫米波自差频CW系统发射漏波信号对接收灵敏度的影响

针对Ka波段自差频式连续波(CW)多普勒雷达系统中发射漏波信号对接收灵敏度的影响问题,通过计算机建模仿真和实验测试,对存在发射功率泄漏干扰情况下一个接收系统前端(包括低噪声放大器和混频器)的工作性能进行了深入研究.结果表明,在收发隔离度为26 dB时,系统所允许的最大发射漏波信号功率电平为-11 dBm,接收系统前端增益恶化小于2.5 dB.根据这些参数,通过合理设计发射功率电平和收发隔离度,可以保证接收系统的探测灵敏度指标的实现.     

初始非饱和多孔物料对冷冻干燥影响理论分析

为提高过程的经济性,提出了液体物料初始非饱和冷冻干燥的技术思想.推导了冷冻干燥质、热耦合传递模型,模型采用了新的吸附-解吸平衡关系,并考虑了吸湿效应.控制方程用有限容积法进行数值求解.待干水溶液中的溶质选用典型的药物赋形剂———甘露醇.结果表明,初始非饱和多孔物料能够显著减少干燥时间,达到强化冷冻干燥的目的.随初始孔隙率ε0(1-S0)的不断增大,干燥时间逐渐缩短;在物料初始饱和度S0为0.30~0.35时,干燥时间达到最短.依据干燥过程中饱和度和温度的分布,分析了物料内部质、热传递机理和干燥速率控制因素.对有效质量扩散系数KS和有效导热系数λ+KTΔH的分析显示,随着冷冻干燥的进行,物料瞬时孔隙率ε0(1-S)不断增大,过程将由传质控制逐渐变为传热控制.