U-统计量尾概率级数的收敛性

本文对相当广泛的一类权函数和边界函数给出了U-统计量尾概率级数收敛的充分条件.     

电视卫星于球站电磁辐射环境评价

文章介绍了对电视卫星地球站电磁场辐射的环境评价。     

集中热源分散供热实现定压供暖的改进办法

<正>对于集中热源分区供暖的水—水供热系统,由于特有属性,即供热是由一次热源网,二次供热网,有些供热企业还有蒸汽网三级换热系统组成,大多供热企业多采取一次网半开式运行与蒸汽网开式运行模式。而对采取一次网闭式运行方式则存在以下好处,既可有效保障一次水网介质的损失控制在最低水平,一次网的压力稳定值可有效保证,一次网水质可有效保证。     

矿用支护托梁复合材料π型带的结构设计与有限元分析

通过对W型钢带的结构和材料的改进,设计出复合材料π型带,并与W型钢带进行了有限元分析比较,得出了复合材料π型带优于w型钢带的结论.     

VG和Dodds改良VG染色方法的比较分析

对20例间叶组织肿瘤分别用VG和Dodds改良VG方法染色的结果进行了分析。结果表明,Dodds改良VG法明显优于VG,表现为其染色特异性强,对比清晰,值得推广。     

一种高吞吐低延迟片上互连网络路由器

本文提出了一种用于片上互连网络的低延迟高吞吐量动态虚拟输出队列路由器,该路由器可以利用前瞻路由计算和虚拟输出队列方案将路由器延迟减低到两个周期.仿真结果表明,与虫孔路由器和虚通道路由器相比,4×4网格上的网络吞吐量分别提高了46.9%和28.6%,并且在相同输入加速比下,性能比双缓冲虚通道路由器要高1.9%.在随机合成流量下,片上网络的零负载延迟也分别降低了25.6%和41%.设计实现结果表明,路由器的工作频率可以达到2.5 GHz.     

多媒体网络中的时延控制方法

时延和时延的抖动是多媒体网络中两个重要的参数,它们与网络的服务质量相关．提出了一种新的网络时延和时延抖动的控制方法——按时服务原则．该方法以虚拟时钟算法为基础,吸收了Ｊｉｔｅｒ－ＥＤＤ算法的优点,能够同时对时延和时延抖动进行控制．同以往的时延和时延抖动控制算法相比,其优点在于：无需为会话建立通信模型,只要是受漏桶（ＲＳ,Ｄ０）限制的会话,那么,该会话在按时服务器组成的网络中就存在一个最大时延Ｔ１,ＭＳ,ｍａｘ．     

基于Linux的集群管理系统设计与实现

基于Linux的LVS集群系统缺乏全面的管理系统,影响了其集群规模、运行的稳定性等.设计了一套集群管理系统,包括集群运行状态的监控、集群节点的快速安装与恢复、集群的动态调度、管理界面4部分,并对未来集群功能的升级扩展做出准备.整个系统借鉴了其他成熟系统的设计思想,结合现有的各种开源项目及自由软件自主开发.系统已经在大连理工大学VOD视频点播系统的realserver LVS集群中部分实现,系统的稳定性和可操作性都有明显提高.     

一种新的基于投影矩的三维图像配准方法

提出一种投影矩的概念，并将其用于三维医学图像的配准．与传统的几何矩相比，投影矩不仅可以完各地描述图像的特征，而且计算量较小，因而可以将其用于三维图像的实时配准．选取待配准的2幅三维图像若干阶投影矩差的平方和为目标函数，采用Powell方法求取最优解，得到配准结果．将方法应用于一些模拟和实际数据，获得了较高精度的实验结果；并且缩短了整个计算过程的时间．这表明投影矩在多模态医学图像的配准和融合等方面具有潜在的实用价值．     

HV/CVD Grown Relaxed SiGe Buffer Layers for SiGe HMOSFETs

High-vacuum/chemical-vapor deposition (HV/CVD) system was used to grow relaxed SiGe buffer layers on Si substrates. Several methods were then used to analyze the quality of the SiGe films. X-ray diffraction and Raman spectroscopy showed that the upper layer was almost fully relaxed. Second ion mass spectroscopy showed that the Ge compositions were step-graded. Transmission electron microscopy showed that the misfit dislocations were restrained to the graded SiGe layers. Tests of the electrical properties of tensile-strained Si on relaxed SiGe buffer layers showed that their transconductances were higher than that of Si devices. These results verify the high quality of the relaxed SiGe buffer layer. The calculated critical layer thicknesses of the graded Si1-xGex layer on Si substrate and a Si layer on the relaxed SiGe buffer layer agree well with experimental results.