离子束溅射非晶软磁薄膜

用离子束溅射方法制成了非晶态软磁薄膜,具有良好的软磁特征。本文研究了离子能量、氩气压强、沉积速率和入射角对磁膜性能的影响。     

关于(3d)~n 离子〈r~2〉、〈r~4〉的Slater函数计算值

一、引言在应用晶场理论对磁性物质的光谱项、单离子模型磁晶各向异性以及各向异性 g-因子进行计算时,所要引用的重要参数是离子的〈r~2〉、〈r~4〉值,它们被定义为〈r~n〉=integral from 0 to ∞ ([R(r)]~2r~nr~2dr) (1)其中 R(r)是(3d)~n 离子的电子波函数的径向部分。由于目前对(3d)~n 离子的电子波函数还无法完全确定。因此,关于〈r~2〉、〈r~4〉的取值通常采用 Slater 函数计算或 Watson 函数计算。一般地说,用 Watson 函数计算的〈r~2〉、〈r~4〉能较好地解释晶场的精细结构;而用 Slater 函数计算的〈r~2〉、〈r~4〉则与晶体电场大体符合。M.C.Kibier 曾于1968年用     

溅射参数对非晶态CoFeNiNbSiB软磁薄膜性质的影响

系统研究了溅射工艺对非晶磁性薄膜的影响,发现在不同的氩气压下,薄膜的磁学性质随负偏压有不同的变化关系。采用电子探针、扫描电子显微镜等测试手段,发现在不同的溅射条件下,非晶膜的微观结构不同。在较高氩气压下,膜中会出现许多圆柱形结构,从而引起膜的软磁性能下降。分析了造成这种结构差别的原因。采用最佳溅射条件,制出了性能优良的非晶态软磁薄膜。     

非晶态CoFeBMo薄膜的制备和性能

本文介绍了用射频溅射法制备非晶态CoFeBMo软磁薄膜的工艺过程,较系统地研究了高频输入功率、氩气压、负偏压以及集辉磁场对膜矫顽力、磁感应强度、起始磁导率和电阻率的影响,从而找出最佳工艺条件,制备出较好的非晶态软磁薄膜。     

Co_(78-x)Fe_xSi_8B_(14)系非晶薄带的晶化动力学

我们用测量在高温区电阻率随温度变化及差热分析(DTA)方法,研究了非晶簿带Co_(78-x)Fe_xSi_8B_(14)(x=5、10、20、30、40原子百分比)的晶化动力学。从300K到1000K非晶合金的电阻率(ρ)随温度(T)的变化曲线,在形式上是相似的,晶化前都有dρ/dT>0,在晶化期间电阻率的突变量Δρ也相近。晶化温度T_c,在750K到830K之间,而Δρ在29到34μΩ—cm之间。实验还表明,晶化后这些合金的矯顽力有相当大的增加,高到100—200奥斯特。DTA曲线,在720—830K之间有两个明显的放热峯。它所显示出的两个明显的阶段表明晶化时有两种晶相析出。在晶化温度附近,我们还测量了Co_(58)Fe_(20)Si_8B_(14)非晶簿带的电阻率随时间的等温变化。并根据退火曲线和Arrhenius关系,估算了其激活能为80千卡/摩尔。     

簡單鐵磁子理論的應用

1,引言应用自旋波方法以计算在低温范围内铁磁体,反铁磁体及亚铁磁体的磁化,许多作者得出较准确C.B.冯索夫斯基首先指出,在这种理论形式中,铁磁性应该彻底地作为一种多电子集体的合作现象来处理。在低温即