n-GaAs/p-GaAs/p-Ga_(1-x)Al_xAs电池短路电流密度的理论分析

n-GaAs/p-GaAs / p-Ga_(1-x)Al_xAs异质结构背电场背反射薄层电池的短路电流密度计算结果表明:在通常情况下,要提高电池的短路电流密度,必须尽可能减小结深x_j;基区厚度H_1的变化对短路电流密度也有重要影响,在给定的基区扩散长度L_1下,H_1存在一最佳值,为了得到比较大的短路电流密度,建议x_j<0.05μm,H_1=2μm,n-GaAs区少子扩出长度L_r>x_j,L_1>2H_1。     

半导体小圆形薄片电阻率四探针测量的修正因子

本文推导了任意形状排列四探针测量小圆形薄片电阻率时同时考虑厚度和半径影响的修正因子表达式:作为特例,计算了直线和方形两种常用的探针排列情况下的修正因子,并用直线四探针对硅单晶片进行实验测量.结果表明所推导的公式可较准确地测量任意厚度小圆形薄片的电阻率.     

InGaAs/InP量子阱和量子线的光学性质

采用有效质量理论６带模型,研究量子结构变化对Ｉｎ０．５３Ｇａ０．４７Ａｓ／ＩｎＰ量子阱和量子线光学性质的影响。计算结果表明量子线结构可以更低的注入电子浓度下,得到更高的光学增益,而且具有光学各向异性。说明量子线结构比量子阱结构提高量子激光器光学性能。     

小组活动任务化教学在初中英语新教材中的有效运用

《初中英语课程标准》中明确提出初中英语课程的总目标是培养学生的综合语言运用能力,并强调在进一步发展学生综合语言运用能力的基础上,着重提高学生用英语获取信息、处理信息、分析问题和解决问题的能力,尤其是要提高学生用英语进行思维和表达的能力。从这一目标中我们可以看出语言实践、语言交际在英语学习中的重要性。     

C／BNxC2（1—x）、BN／NBxC2（1—x）和C／BN异质结价带偏移

彩和原子集团展开和平均键能相结合的方法，研究了宽带隙高温半导体，合金型应变层异质界面C／BNxC2(1-x)、BN/NBxC2(1-x)和生长在BN/NBxC2(1-x)合金衬底上的C／BN应变层异质结的价带偏移△Ev。结果表明：C／BNxC2(1-x)和BN/NBxC2(1-x)的△Ev随x的变化是非线性的，而应变层C／BN的△Ev随x的变化是接近于线性；三种异质结的△Ev值随x的变化关系决定于异质界面两侧带阶参数Emv随x的变化规律。     

256位唯读存貯器(PROM)

本存贮器系双极镍铬熔丝型可编写(一次)唯读存贮器。它包括地址缓冲、译码驱动、存贮矩阵和箝位电路四部分。可用于存贮常数、特定函数和圈定指令,具有高速和程序编制灵活的特点。本文着重介绍它的工作原理、版图设计和结果分析。     

氧化层错与固定电荷

本文叙述了为研究热氧化工艺中生长的氧化层错与固定电荷的成因及其抑制、消除或减少途径而设计的有关实验,对所得到的各实验结果,均可应用Sanders等人的空位发射机构以及S·M·Hu模型作定性说明,从而得出若干结论。     

周期性磁场下的GaAs/AlxGa1-xAs单量子阱中电子的能带结构

为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响，采取一种简单的可解析求解的模型，研究了周期性磁场下的ＧａＡｓ／ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ单量子阱中电子的能带结构，发现在周期性磁场的作用下，在ｚ方向上的能量是分立的量子化能级，而原来在ｘ－ｙ平面内连续的能级分裂成分立的一系列许可带，但是在ｘ方向上能量仍然是连续的，同时对其能带的特点和形成机制进行探讨。     

浅析生态城市规划与可持续发展

随着环境与发展问题的尖锐化,世界各国政府都普遍重视对生态环境的研究,力求寻找解决生态环境与发展问题的良策。而可持续发展目前正成为解决生态环境与发展问题的最终选择。