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研究了多晶Co薄膜制备态与退火态的磁滞回线与标度行为,结果表明:对易轴方向A∝A0+H^(0.67-1.00)Ω^0.90,对难轴方向A∝A0+H^(1.75-2.50)Ω^(1.45-0.95),与理论计算(α=0.95,β=0.28(Heisenberg模型))作比较,A与H的关系符合的较好,A与Ω的指数关系有些差异,这种差异还有待进一步研究。 相似文献
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采用PLD的方法在衬底温度为300,400,500,600℃下制备了Zn_(0.97)Cr_(0.03)O薄膜。利用X射线衍射仪、AFM、荧光光谱仪、VSM研究衬底温度对薄膜的结晶、表面形貌、内在缺陷、磁性的影响.实验结果表明:所有薄膜都具有(002)峰择优取向,且400℃下制备的薄膜最为平整;4个样品都存在光激发,300℃的发光强度最强、400℃次之,而500℃和600℃的发光强度明显减弱,这些与样品中缺陷态有密切的关系;4个样品都具有室温铁磁性,且随着衬底温度的增加饱和磁化强度Ms先增加后减小,400℃下制备的薄膜具有最大的饱和磁化强度,这些磁性变化与样品中Zn空位和Cr~(3+)浓度变化有密切关系. 相似文献
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采用磁控溅射法制备了多晶的Co、Co50N i50、N i薄膜,测量了退火前后这些薄膜的磁滞回线,研究了磁滞回线的面积随外加交流磁场的振幅、频率的变化关系.实验结果表明,退火前后Co、Co50N i50和N i磁性薄膜的磁化动力学行为都满足标度关系A=A0 Hα0Ωβ,退火后磁性薄膜的α值增加,β值减少,这主要是退火后磁性膜的磁各向异性减少. 相似文献
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利用射频磁控溅射在石英基片上沉积ZnO薄膜.为了研究氧分压对ZnO薄膜的结构和光电学性质的影响,在氧分压0.00,2.54,5.06,7.57 mPa的条件下制备了4个样品.样品的微结构、表面形貌和光电学性质分别用X射线衍射仪、原子力显微镜、分光光度计和Van der Pauw方法进行测量.结果表明,所有样品的主要衍射... 相似文献
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以08版<理工科类大学物理实验课程教学基本要求>为依据,针对福建师范大学生命科学学院学科特点,对该院的<大学物理实验>课程设置进行探讨. 相似文献
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采用磁控溅射法制备了多晶的Co薄膜,研究了退火时间对磁滞标度律的影响.实验结果表明,Co薄膜具有比较复杂的结构和沿膜面的易磁化方向,退火时间较长,具有更强的磁各向异性. 相似文献
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采用数字化信息采集系统对铁磁材料动态磁滞回线和磁化曲线进行数据采集及处理,比较不同实验条件下R、L、C等各元件两端电压波形及合成李萨如图形的变化,解释了电压波形和所得磁滞回线发生畸变的原因。利用数据采集系统实时展示数据结果的特点,研究实验参数对实验结果的影响,实现实验参数的比较与优化,获得形状良好的、具有饱和趋势的、能够准确描述软磁和永磁材料动态磁滞回线的李萨如图形,并描绘出研究对象的基本磁化曲线。该实验方案提高了实验的可视性和准确性,有助于学生剖析实验变化过程,加深对实验原理的理解。 相似文献
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