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氢化纳米硅薄膜的光声光谱研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱,并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比.纳米硅的光吸收系数比后两者都高(特别是在1.4~1.9eV之间,高出近一个数量级),其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响,此外,纳米硅光声谱中Urbach边宽且缓,反映出这种材料很高的无序程度. 相似文献
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氢化钠米硅薄膜的光声光谱研究 总被引:2,自引:0,他引:2
分析了纳米硅薄膜材料从可见光到近红外范围的光声光谱,并与微晶硅和非晶硅材料进行了对比。纳米硅的光吸收系数比后两都高(特别是在1.4~1.9eV之间,高出近一个数量级),其原因是纳米硅薄膜中大量晶粒对光子的散射、晶粒界面缺陷的吸收及载流子吸收的影响,此外,纳米硅光声谱中Urbach边宽且缓,反映出这种材料很高的无序程度。 相似文献
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