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讨论了用CAMECAIMS-4f型二次离子质谱仪对AlxGa1-xAs复杂多层结构定量深度分析的方法。采用CsM+技术,完成了无外部参考物质AlxGa1-xAs基体成分定量分析,提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法,详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择,还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱(SIMS)对复杂多层结构的定量分析,同时得到了主成分和杂质的定量深度分布,并保持了SIMS的优良深度分辨本领。 相似文献
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