铝原子在多晶硅晶粒间界分凝的AES研究

多晶硅目前正广泛地应用于大规模集成电路、P-N结器件和太阳电池等领域之中,但是,由于多晶硅中存在着大量的晶粒间界,晶粒间界既是多数载流子输运的阻挡势垒,又是少数载流子的陷井和复合中心,所以,晶粒间界的存在严重地影响着多晶硅及其器件的电学特性。然而,有些掺杂原子在多晶硅晶粒间界的分凝会使多晶硅的物理和电学特性得到改善,并为找到降低和消除多晶硅晶粒间界的影响的方法指明方向。     

掺氮吸气剂的电镜分析研究

主要介绍运用扫描电子显微镜和透射电子显微镜对进口羰基Ni粉与国产羰基Ni粉及吸气剂蒸散后各部位表面形貌及组分进行分析研究,获得了羰基Ni粉质量比较的重要信息,且从物理机理上解释了产生“拱起’质量问题的缘由.本文还介绍了掺氮吸气剂蒸散后残体的X光电子能谱分析结果,从而更进一步印证和充实了上述质量问题的物理机理解释.     

共振光电子及俄歇电子出电势谱复合分析管的研制和应用

一、引言共振光电子出现电势谱(RPAPS)的主要特点是对杂质元素的分辨率均优于同样条件下的软x射线出现电势谱(SXAPS)并与二次离子谱仪(SIMS)相妣美,因此它是一种对表面杂质分析相当灵敏的有用的出现电势谱。俄歇电子出现电势谱是芯能级谱中灵敏度最离的一种出现电势谱,而三极式结构的俄歇电子出现电势谱又最适于各种场合和各种类型材料的分析,     

蒸散型吸气剂的出现电势谱研究

本文介绍运用俄歇电子出现电势谱和共振光电子与俄歇电子出现电势谱复合分析技术对蒸散型吸气剂的蒸散镜面所作的表面分析,其中主要是对不同质量吸气剂蒸散镜面的表面态作了一定比较,对吸气剂所含的杂质成分作了分析研究,并介绍了检测分析管的基本结构和检测电路方框图.这对出现电势谱在吸气剂生产上的开发应用,具有一定的实用价值.     

NiTi基C型聚对二甲苯材料的等离子体处理初探

研究等离子体处理对ＮｉＴｉ基Ｃ型聚对二甲聚对二甲苯膜界面结合，Ｃ型聚对二甲苯腊表面荷电浸润性的影响，结果表明，等离子体处理适用于医用功能材料领域。     

LEED—DAPS装置球面栅的制造

一、引言球面栅作为阻滞型能量分析器,在早期的逆电位型俄歇电子谱仪(AES)中曾起过重要作用。尽管当前的俄歇电子谱仪中都采用了筒镜分析器和半球形能量分析器,但是在Germer型LEED装置和出现电势谱的一个重要分支—消隐电势谱(DAPS)中,球面栅仍然起着分选电子能量的重要作用。因此,球面栅的制造还是一个值得重视的重要工艺。由于球面栅既要求具有良好的电子透过性又要求获得均匀的电场,所以它必须用极细的金属丝密织而成。据目前公布的资料来看,镀金的Mo丝组成100目栅网,其透过率为85％,     

俄歇电子出现电势谱仪的研制及其应用

本文简要地介绍了俄歇电子出现电势谱仪的基本结构和它在钡钨阴极激活表面、吸气剂蒸散镜面、不锈钢材料表面以及阴极寿命过程中表面变化等表面分析中的初步应用。实践表明,本实验所采用的俄歇电子出现电势谱(AEAPS)分析管结构能够适应不同材料及不同场合中的各种表面分析,对俄歇电子出现电势谱的进一步推广应用具有实用价值。     

汞系超导材料的表面特征研究

采用溅射中性粒子质谱仪、俄歇电子能谱仪研究分析了（Ｈｇ０．６９Ｐｂ０．３１）Ｂａ２Ｃａ２Ｃｕ３Ｏ８＋δ超导体的表面状况，其中Ｈｇ元素以中性游离态存在，Ｐｂ元素的表面富集和Ｃａ元素的氧化态等现象表明，汞系超导体在表面形成钉扎中心和呈现不稳定性的表面性征。