强磁场条件下的垒D^—中心

采用ＭａｃＤｏｎａｌｄ使用的对角化方法研究了强磁场条件下由位于ｚ轴上距ｘ－ｙ平面一定距离的正离子和位于ｘ－ｙ平面上受正离子束缚的两个电子构成的垒Ｄ－中心，得到了垒Ｄ－中心能级和束缚能随距离ξ的变化曲线．数值计算结果表明：Ｌ＝０的单重态和Ｌ＝－１，－２的三重态在一定区域内是束缚态，而Ｌ＝－１，－２的单重态是非束缚的．     

新型水溶性手性钌催化剂的制备及应用

利用发烟硫酸磺化手性双胺双膦配体[（R．R）-C6P2（NH）2]．合成了PNNP-型水溶性手性双胺双膦配体[（R．R）-C6P2（NH）2（SO3Na）4]，并分别与简单的钌、铑络合物反应，制备水溶性手性钌络合物催化剂[（R，R）-C6P2（NH）2（SO3Na）4RuCl2]和铑络合物催化剂[（R，R）-C6P2（NH）2（SO3Na）4RhCl]．经元素分析、红外光谱和核磁共振等对手性配体及手性Ru络合物进行了结构表征．进而用这些水溶性的钌，铑络合物催化剂或水溶性手性配体与铱络合物[IrHCl2（COD）]2组成的混合催化体系研究了多种芳香酮的不对称转移氢化。结果表明．在以异丙醇作为氢源时．对芳香酮的不对称转移氢化都具有较好的催化活性．与铑，铱催化体系相比，水溶性手性钌络合物催化体系具有更高的活性和对映选择性．对于苯乙酮的氢化．其转化率和对映选择性分别达到91.6％和93．0％e．e．．此外，进一步考察了反应温度和KOH用量对水溶性手性钌络合物催化苯乙酮不对称转移氢化性能的影响，并将水溶性手性钌络合物催化体系应用于多种芳香酮的不对称转移氢化，获得了高的收率和对映选择性，分别可达92．0％和96．4％e．e．．研究结果表明，水溶性手性钌络合物[CR．R）-G6P2（NH）2（SO3Na）4RuCl2]是芳香酮不对称氢转移催化氢化的优良催化剂.     

量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响(英文)

采用变分法研究了量子点量子阱结构中极化子效应对斯塔克能移的影响.计算中考虑了电子与体纵光学声子和表面光学声子的相互作用.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,发现极化子基态能量随量子点半径的增加而单调增加,随电场强度的增加而单调减少.电子-声子相互作用增强了斯塔克能移.极化子自陷能随量子点半径及电场强度的增加而增加.量子点量子阱结构的尺寸对极化子斯塔克能移有显著影响.     

强磁场条件下的spatial separated D-心

采用MacDonld的对角化法研究了强磁场条件下Ds^-心的束缚态和多电子效应。发现Ds^-心有L＝0，－1，－2，－3，－4五个束缚态，且随着电子与D^0心之间距离ζ值的增大，其束缚能存在一极大值，并利用无规相近似讨论了长波极限Ds^-心的多电子效应，发现Ds^-心的本征能量随朗道能级填充因子作周期性振荡，且随着温度的降低振荡加剧；当填充因子为偶数时，其本征能量的绝对值最大，说明此时电子气对库仑势的屏蔽效应最弱。     

量子点量子阱结构中激子的极化效应(英文)

考虑激子与体纵光学声子的相互作用,采用变分法研究了量子点量子阱结构中澈子的极化效应.以CdS/HgS量子点量子阱结构为例进行数值计算,得到了激子的基态能量和束缚能.研究结果表明,声子对澈子束缚能的贡献随着阱宽的增加而增加,极化子效应不能忽略.激子的基态能量和束缚能明显依赖于量子点量子阱结构的核半径和壳层厚度,量子点量子阱结构的尺寸对激子-声子相互作用有重要的影响.     

传统硬件的智能化升级

当智慧家庭成为未来趋势,现有家居、家电的智能化升级成为一条快速、有效的途径.因此,需要提供简单易用的开发工具、技术,帮助客户将现有产品智能化,孵化出更多创新智能产品,实现智能硬件的普及.     

关于分布式系统进程互斥算法的研究

就互斥问题 ,即定义基本的操作来解决共享资源的多个并发进程的冲突问题 ,提出了一种更适合真网络环境的算法     

强磁场条件下垒D-心的多电子效应（英文）

利用无规相近似 ,讨论了长波极限强磁场条件下垒 D-心的多电子效应 .发现垒 D-心的本征能量随朗道能级填充因子作周期性振荡 ,且温度的降低加剧了这种振荡 ;当填充因子为偶数时 ,其本征能量的绝对值最大 ,此时电子气对库仑势的屏蔽效应最弱 .