Au—Si界面的室温反应

本文利用XPS研究了在超高真空条件下形成的Au—Si(113)界面初始阶段的室温反应,测量了Si2p、2S和Au4f光电子发射峰的强度和能量位置随Au复盖量的变化。所有的结果都表明,与Au—Si(111)和Au—Si(100)系统一样,存在一个发生界面室温反应的临界Au厚度～5ML,从而推断,这个现象可能是Au—Si界面形成过程的普遍特性。根据我们的实验结果,还讨论了Au—Si界面形成的可能模型。     

磁场对锗表面场效应的影响

十多年来,Ge表面的电学性质已经进行了广泛的研究,常用的研究方法是表面场效应的测量。近几年来,也进行了不少关于Ge表面电磁性质的研究,例如,Petritz和Zemel等分别从理论和实验上研究了片状Ge的电导率、霍耳系数和磁阻随表面势垒的变化;分析了,当考虑载流子浓度变化时在近本征半导体中的热电磁效应,得出了在弱磁场中通电流的片状样品电阻率变化的表达式,式中包含两项,一项为磁阻效应;另一项为磁浓缩效应     

SiO_2/GaAs界面的AES深度分析

利用 AES 和离子溅射剥离技术,对 SiO_2/GaAs 界面进行了深度分布测量.SiO_2膜是采用 CVD 方法在400℃下淀积在 GaAs 衬底上的.结果表明,在界面区中存在 Ga的氧化物(可能是 Ga_2O_3)和自由元素 As,即这种界面实际上是 SiO_2/Ga 的氧化物十元素As/GaAs 系统.