氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量

研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法, 分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因. 理论推导及实验结果表明, 若将SiH₂和(SiH₂)_n含量大小用结构因子F=(I₈₄₀+I₈₈₀)/I₂₀₀₀来表示, 则在F值较小的情况下, 薄膜折射率接近3.4或拟合厚度值d=0.71~0.89 μm时, 两种计算方法得到的氢含量很接近. 研究还发现, 制备工艺对薄膜的键结构及组分有很大的影响, 不同的制备方法薄膜中形成的SiH₂和(SiH₂)_n含量不同, F值大的样品均匀性差(表现为这些样品实测厚度值与拟合厚度值有较大的差异); 同时在这种情况下, 两种方法计算得到它们的氢含量值相差较大, 但CAT CVD辅助MWECR CVD制备方法, 能有效地抑制SiH₂和(SiH₂)_n的形成.     

GaAs表面经UV/O_3处理后的XPS分析

UV/O_3是去除半导体表面碳氢化合物的有效方法之一。该文利用X光电子能谱仪讨论了GaAs经UV/O_3处理的表面化学状态,得知表面氧化物为Ga_2O_3、As_2O_3及As_2O_5,且其氧化层厚度,当用UV/O_3处理30 min后大约为9 nm。     

全球地震带演示及抗震减灾展品

天津市位于华北地震带，历史上曾经发生过中强地震，并受到过邻近地区大地震的波及，给天津市人民的生命财产造成了巨大的损失。因此向公众普及抗震减灾的科学知识与技术应用有着现实的意义。