单壁碳纳米管储氢分子动力学模拟研究

选用C(10×10)扶手椅型单壁纳米管,采用分子动力学方法模拟研究了在温度100K,初始入射动能在10,30,50,80,100eV几种情况下氢原子在单壁碳纳米管中的运动,并分析了单壁碳纳米管储氢情况,得到初始能量为80eV时储氢效果较好.     

Si（111）表面离子束辅助沉积对类金刚石薄膜结构影响的计算机模拟

本文选C2分子和Ar离子作为沉积源和辅助沉积粒子,采用分子动力学（MD）方法在Si（111）面上模拟研究了离子束辅助沉积（IBAD）类金刚石（DLC）膜的物理过程.重点讨论了C2分子和Ar离子的入射能量及到达比（Ar/C）对平均密度和sp^3键含量的影响,并与Si（001）-（2×1）表面生长类金刚石膜的结果进行比较.结果表明,到达比和入射能的改变,对薄膜结构的影响不同;Si（111）面上生长类金刚石膜,薄膜在衬底的附着力更强.     

Tersoff势在小分子团簇几何优化中的应用

深入分析了Tersoff势,并将Tersoff势用于优化由碳硅锗元素构成的双原子分子团簇（C2、CSi、CGe、Si2、SiGe、Ge2）及三原子分子团簇（C3、C2Si、C2Ge、CSi2、CGe2、CSiGe、Si3、Si2Ge、SiGe2、Ge3）的结构,得到了上述这些分子的最稳定结构,并将其中有些结构与从头计算、密度泛函理论和实验值进行了对比;另外,还分析了所得分子的平均结合能、键长和键角等的特点,并总结出一些规律.     

H原子通过碳纳米管的分子动力学模拟

利用Brenner(#2)半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了氢原子在单壁碳纳米管中的运动.对温度为10K时,初始入射动能分别为1,5,10,15,20,30eV的H原子以不同的入射角度进入碳纳米管进行模拟,观察了氢原子与碳纳米管的吸附情况及在碳纳米管中的运动,并讨论了不同入射能量和入射角度对氢原子在碳纳米管中吸附的影响.结果表明,在能量为20eV时H原子能够很好的吸附在碳纳米管管壁上.     

谈电子电气设备的电路隔离技术

对电子电气电路的各种隔离进行了详尽的分析讨论,提出了抑制干扰而采取的电气隔离的技术措施,从而保证电气设备的正常工作。     

决策树算法在中职招生宣传中的应用研究

目前，数据挖掘技术已广泛应用于市场营销、金融、保险、工程与科学数据分析等领域。本文尝试性地利用数据挖掘中的决策树算法，对中职考生的报考数据进行分析研究，生成决策树，总结出规则，为决策；等提供理论支持。     

整流模块在通信电源系统中的技术应用与研究

为通信电源系统选择整流模块要考虑很多因素，随着通信市场竞争的日益激烈，有必要选择最优的电源方案来满足市场需要，科学评估所有的运行要求会对选择整流模块有重大影响。     

Si在Si（111）表面吸附过程的分子动力学模拟

利用Tersoff半经验多体相互作用势和分子动力学模拟方法研究了荷能的硅原子在Si(111)表面的吸附过程.对100K时,初始入射动能分别为5,15,25,30eV的硅原子从6个不同位置轰击Si(111)表面进行了模拟,观察到了硅原子在Si(111)表面形成的吸附结构,并讨论了不同入射位置和入射能量对吸附结构的影响.结果表明,硅原子相对于表面不同的局部构型发生不同的碰撞过程,而硅原子入射能量的提高有利于成键过程的发生,从原子尺度模拟了沉积机制.