超薄坡莫合金薄膜

基于辉光放电原理在超高本底真空下制备了Ni81Fe19(12nm)超薄薄膜，其各向异性磁电阻（AMR）变化率达到1．2％，而矫顽力却只有127A／m。同较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜进行结构比较表明：超高本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面光滑、平整、起伏小、薄膜致密，结构缺陷较少、而较低本底真空下制备的Ni81Fe19薄膜表面粗糙、起伏小、薄膜较较松、不均匀、结构缺陷较多。     

工艺参数对Ni81Fe19薄膜磁性及微结构影响

在不同本底真空和工作气压下制备了不同厚的Ni81Fe19／Ta薄膜,并进行了磁性测量和原子力显微镜分析,结果表明,较厚的薄膜,较高的本底真空和较低的工作气压下制备的薄膜有较大的各向异性磁电阻,其原因是高本底真空和低工作气压导致大晶粒度和低粗糙度,进而降低电子的散射,减小电阻R,增大ΔR/R,而较厚薄膜中,大晶粒度的作用将抵消高粗糙度的负作用,使ΔR/R值增大。