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用扫描隧道显微镜(STM)研究了室温下色氨酸分子(L-Tryptophane)在石墨(HOPG)表面的吸附行为。实验发现,在室温下色氨酸分子可以在石墨表面形成均匀的吸附层,并形成二维条状结构和二维单斜晶格两种有序结构。针对这2种结构给出了可能的吸附模型。这2种有序结构的形成原因被认为与相邻色氨酸分子侧链之间的π堆积相互作用有关。 相似文献
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为了更全面地了解Ⅳ族半导体表面和界面的结构和性质，以扫描隧道显微镜为主要手段，辅以ＬＥＥＤ和ＡＥＳ等常规手段，对它们作了系统的研究。本文是对最近许多结果的综述，首先介绍几个重要的Ｇｅ高指数表面的结构然后对发生在Ｇｅ和表面和亚表面的原子的扩散和迁移运动和了介绍，最后阐述了决定Ⅲ族金属／Ⅳ族金属半导体界面的结构的３个共同要素。 相似文献
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用扫描隧道显微镜(STM)研究了用真空沉积法在高定向有序石墨(HOPG)上制备的1, 1dicyano-2, 2-(4-dimethylaminophenyl) ethylene(DDME)薄膜。DDME在石墨表面形成十分平整的分子柱状堆积二维有序结构。还观察到了随覆盖度降低转变成为其他二维有序结构,并对其形成机理进行了研究。 相似文献
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