首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   41篇
  免费   1篇
  国内免费   2篇
系统科学   2篇
现状及发展   1篇
综合类   41篇
  2021年   1篇
  2016年   1篇
  2013年   1篇
  2012年   2篇
  2011年   1篇
  2010年   2篇
  2009年   6篇
  2008年   3篇
  2007年   7篇
  2006年   2篇
  2005年   2篇
  2004年   1篇
  2003年   4篇
  2002年   6篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1995年   1篇
  1981年   1篇
排序方式: 共有44条查询结果,搜索用时 15 毫秒
1.
SnO2:(Sb,In)透明导电薄膜的制备及其性能研究   总被引:4,自引:0,他引:4  
采用溶胶凝胶(Sol-Gel)技术制备了SnO2∶(Sb,In)薄膜,优化了制备工艺参数,应用差示扫描量热仪-热重分析仪(DSC-TGA)、X射线衍射仪(XRD)等手段对薄膜进行了表征.结果表明,氯化亚锡、乙醇和水摩尔比为1∶20∶4时成胶状态最佳,当锑和铟的掺杂量分别为7 %和4 %时,在500 ℃氮、氢混合气氛下煅烧2 h制备的薄膜表面平整,方块电阻大约为40.5 Ω,紫外-可见光透射率达88 %.  相似文献   
2.
赵武 《甘肃科技》2013,29(11):21-22
分析了目前计算机网络存在的安全问题及常见的风险类型,并结合目前技术的发展,提出了以计算机安全的主要因素为突破口,重点探讨了防范各种不利于计算机网络正常运行的措施,从不同角度分析了影响计算机网络安全的情况,以确保网络安全有效运行。  相似文献   
3.
讨论了弯管流量计在蒸汽测量中使用冷凝罐对计量精度的影响,重点进行弯管流量计采用水平导压管用于蒸汽测量的可行性分析,得出可以用水平导压管取代冷凝罐的结论.  相似文献   
4.
国外有些学者作过这样的论断:汉朝至宋朝的纱线捻向都以 S 捻为主,宋以后以 Z 捻为主。本文对中国古代的纺纱工具和织物作了大量调查研究,对此问题展开讨论,得出不同的结论。  相似文献   
5.
目的 设计一个具有轨对轨输入和输出摆幅的两级CMOS运算放大器.方法 输入级采用两对单一类型的n沟道差分对管作为输入管,用两个相同的n沟道源跟随器来完成输入电平的直流电平转移,实现了轨对轨的输入摆幅;输出级采用前馈甲乙类控制的轨对轨输出级,保证了轨对轨的输出摆幅和较强的驱动能力.结果 用标准的0.6μm CMOS BSIM3v3模型库对该放大器进行了仿真,开环电压增益、单位增益带宽和相位裕度分别达到了113.57dB,11.9MHz和53°,输入级跨导的变化在±5%内.结论 所设计运算放大器其输入和输出摆幅为轨对轨,满足设计所提要求.  相似文献   
6.
《金融数学》是金融学专业的一门基础课程,金融数学方法是金融工程领域重要的工具。文中界定了《金融数学》课程的教学内容,分析了《金融数学》的教学特点和难点。最后从《金融数学》教学要求和目的出发,结合学科特点,以离散时间金融为例,探讨了具体的教学方法。  相似文献   
7.
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)方法,以甲烷、硅烷和氢气为反应气体在单晶硅衬底上沉积碳化硅(SiC)薄膜材料.通过X射线衍射(XRD)、傅里叶变换红外光谱(FTIR)对SiC薄膜的晶体结构进行测试分析.利用原子力显微镜(AFM)对SiC薄膜的表面形貌进行分析.对该薄膜在室温和较高温度(410℃)下进行光敏特性测试,结果表明:该薄膜为SiC薄膜且对不同波长、不同功率的光有一定的敏感特性,较高温度下其敏感特性和室温下测试的结果大体一致,在高温光敏器件领域具有很大的应用潜力.  相似文献   
8.
赵武 《太原科技》2002,(6):26-27
详细论述了应用乳化沥青进行路面养护的技术及其发展状况,乳化沥青的优点和经济性,路面损坏的分类及原因以及几种重要的养护方法。  相似文献   
9.
重点分析弯管流量计无附加压力损失这一特点,通过和孔板流量计比较,并列举用户应用实例进行对比分析,突出了弯管流量计的节能效果.  相似文献   
10.
采用热丝化学气相沉积法在Si(111)、Ti(101)衬底上制备了SiC薄膜,并利用X射线衍射和傅里叶变换红外吸收光谱(FTIR)对薄膜的结构、成分及化学键合状态进行了分析.XRD结果表明,制备的SiC薄膜呈现3C-SiC结晶相,有很好的择优取向性.HIR谱显示,薄膜的吸收特性主要为Si-C键的吸收,其吸收峰为804.95cm^-1.从原子力显微镜对SiC薄膜表面形貌的测试分析可以看出,样品表面呈规则精细颗粒状结构且薄膜结构致密.此外,在高真空系统中(6.0×10^-4Pa)对生长的SiC薄膜进行场敛发射特性测试,结果表明生长的SiC薄膜具有场致发射特性:样品的开启电压为82.1V/μm,最大电流密度为631.5μA/cm^2.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号