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利用Tsuprem4和Medici对200伏VDMOS进行虚拟制造 总被引：2，自引：0，他引：2
通过将已知工艺参数与工艺模拟软件Tsuprem4结合起来，将模拟结果直接导入器件模拟软件Medici，对击穿电压及阈值电压，终端保护环进行了模拟计算，获得了具体的设计参数，并对利用这两个软件进行虚拟制造的过程中需要注意的问题进行了阐述． 相似文献
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