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摘要:为了分析和评估GIS中盘式绝缘子内气隙缺陷局部放电的危害程度,提高局部放电检测水平,试验设计了绝缘子内单一气隙模型。用超高频法对局部放电进行了测量,获得了气隙放电起始电压,熄灭电压,局放信号波形。比较了不同电压下气隙局放图谱的特点,分析了气隙放电的发展过程和不同电场下放电的变化规律。试验结合气体放电理论探讨了绝缘内部气隙放电的机理。结果表明:随着电压的变化,绝缘子内气隙发生的局部放电表现出不同的阶段性特征,实验结果对GIS现场耐压试验和缺陷识别具有指导意义。  相似文献   
2.
本文给出带拟凸约束规划的一个新算法,其结果改进和推广了文[1~3]的结论.  相似文献   
3.
4.
在ABS塑料基体上化学沉积铜,然后在50℃、电流密度为0.9A/dm^2、沉积35min的条件下得到光亮镍镀层的基础上,进行Cu—Zn二元合金的焦磷酸体系仿金镀。重点对镀液性能和工艺条件进行探讨,得到了焦磷酸钾浓度为360g/L,电流密度为1.25A/dm^2的最佳工艺条件。  相似文献   
5.
ABS塑料无氰仿金电镀工艺条件研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
在ABS塑料基体上化学沉积铜 ,然后在 5 0℃、电流密度为 0 9A/dm2 、沉积 35min的条件下得到光亮镍镀层的基础上 ,进行Cu -Zn二元合金的焦磷酸体系仿金镀 .重点对镀液性能和工艺条件进行探讨 ,得到了焦磷酸钾浓度为 36 0g/L ,电流密度为 1 2 5A/dm2 的最佳工艺条件 .  相似文献   
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