（CdSe）m（ZnSe）n／ZnSe短周期量子阱的荧光光谱

对用原子层外延法生长的｛（ＺｎＳｅ）＿（７０）（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（Ｚｎｓｅ）＿８＋［（ＣｄＳｅ）＿１（Ｚｎｓｅ）＿３］＿７＋（ＺｎＳｅ）＿８（ＺｎＳｅ：Ｔｅ）＿（２０）（ＺｎＳｅ）＿（７０）｝×１短周期超晶格量子阱样品，在７７Ｋ进行了稳态和瞬态荧光光谱研究。在本征激发下，观察到在不同激发强度时荧光光谱有显著的区别，随着泵浦密度提高，荧光谱表现为绿带（Ｓ＿２）、蓝带（Ｓ＿１）和蓝锐线依次占优。利用时间分辩光谱测量了上述谱带的荧光产生时间和寿命，讨论了样品中激子的捕获和复合过程。认为上述荧光光谱对激发强度的依赖性，可能是束缚在势垒中Ｔｅ＿ｎ（ｎ≥２）原子簇和单Ｔｅ原子周围的激子态随激发功率提高而依次饱和的现象。     

KNSBN和SBN晶体的近红外电光特性

首次测得了ＫＮＳＢＮ和ＳＢＮ晶体在１．３２μｍ波长下的线性电光系数，研究了其有效线性电光系数γ＿ｃ随温度的变化，并演示了这类晶体以低功率驱动时的高频红外电光调制。     

高级受激喇曼散射的观察

本文报导了苯的高级受激喇曼实验;分别用调Q及锁模红宝石激光激发苯液体,用摄谱仪拍摄受激喇曼谱线,观察到苯的最强喇曼线Δν=992cm~(-1)的五级斯托克斯线,并观察到四级反斯托克斯线。测量了喇曼线的能量转换效率,观察了光束花样。发现在苯的多级斯托克斯线的强度分布上存在着“级跳”现象。