LaMn1-xTexO3＋δ的反常磁输运现象分析

通过固体反应法制备出了Mn位Te掺杂氧化物：LaMn1-xTexO3＋δ.X光电子能谱测量结果表明Te离子在样品中具有Te^4＋价态,Mn^3＋离子因受富氧及Te4＋替换影响而部分转变成Mn^2＋和Mn^4＋,以致LaMn1-xTexO3系列样品中同时存在Mn^2＋,Mn^3＋,Mn^4＋三种价态,当Mn^3＋在样品中的含量远大于Mn^2＋及Mn^4＋两者含量和时,样品则具有绝缘态特征,但当Mn3＋含量与Mn^2＋及Mn^4＋两者含量和相当时,样品则随温度的升高而产生了金属-绝缘态相变.对于这种反常的磁输运现象,用双交换（DE）机制进行了的分析和讨论.     

光激发引起的菌紫质人工膜系统界面自由能

应用界面双层模型和界面固有化学势的概念 ,对菌紫质人工膜系统C(N)端界面受光激发所引起的界面自由能变化进行了初步的探讨 ,导出了bR相、C或N端界面能的一般表达式 ,及三类具体的菌紫质人工膜系统 (液 bR 液 ,固 bR 固 ,液 bR 固 )界面自由能的表达式 .可以看出 ,光照下的bR人工膜系统界面自由能的变化 ,不仅与物质组分相关 ,还与跨膜电势相联系 .据此 ,在一定范围内提高bR膜系统溶液的温度、pH值 ,以及降低跨膜电压 ,都将减少界面自由能 ,从而对系统的光驱质子泵过程产生影响 .本文研究仅局限于光照的影响 ,暂不涉及体系相结构变化的情形 .     

La1-xTexMnO3(x=0.04,0.1)的庞磁电阻效应及自旋玻璃态特性

制备出用氧族非金属元素Te替换部分镧所生成的锰氧化物新材料:La1-xTexMnO3(x=0.04,0.1).研究表明该材料具有空间群R-3C结构,Te为正四价态.电阻率-温度关系给出其存在金属-半导体转变特性,具有庞磁电阻效应(CMR),x=0.1成分的磁电阻变化率在4 T作用下为51％.此外,还观察到该材料在低温下的自旋玻璃态行为.     

La1-xTexMnO3 (x = 0.04, 0.1)的庞磁电阻效应及自旋玻璃态特性

制备出用氧族非金属元素Te替换部分镧所生成的锰氧化物新材料: La_1-xTe_xMnO₃(x = 0.04, 0.1). 研究表明该材料具有空间群R3C 结构, Te为正四价态. 电阻率-温度关系给出其存在金属-半导体转变特性, 具有庞磁电阻效应(CMR), x = 0.1成分的磁电阻变化率在4 T作用下为51%. 此外, 还观察到该材料在低温下的自旋玻璃态行为.     

LaMn_(1-x)Te_xO_(3+δ)的反常磁输运现象分析

通过固体反应法制备出了Mn位Te掺杂氧化物:LaMn1-xTexO3+δ.X光电子能谱测量结果表明Te离子在样品中具有Te4+价态,Mn3+离子因受富氧及Te4+替换影响而部分转变成Mn2+和Mn4+,以致LaMn1-xTexO3系列样品中同时存在Mn2+,Mn3+,Mn4+三种价态,当Mn3+在样品中的含量远大于Mn2+及Mn4+两者含量和时,样品则具有绝缘态特征,但当Mn3+含量与Mn2+及Mn4+两者含量和相当时,样品则随温度的升高而产生了金属-绝缘态相变.对于这种反常的磁输运现象,用双交换(DE)机制进行了的分析和讨论.