MOS器件的热载流子效应

热载流子效应产生的原因，首先是在沟道强电场中形成迁移率偏低的热载流子，然后由于碰撞电离而使热载流子大量增加。热电子和热空穴能够越过界面势垒向栅氧化层发射。进入栅氧化层的热载流子，或者穿透氧化层，或者造成随时间而增加的界面态，或者造成载流子陷阱。热电子或热空穴也可以受结电场的作用而进入衬底。抑制热载流子效应的方向，一是在沟道两侧制作轻掺杂区，以降低沟道电场强度；二是对栅氧化层进行氮化处理和提高氧化温度，以改善氧化层的质量，增强抗热载流子效应的能力。     

全息信息存贮记录

本文阐述了对全息存贮记录的改进方法，利用编振消光的原理，在实验光路中引入偏振装置，提高了对参考光斑和物光斑位置的分辨率，使参考光和物光光斑中心重合，达到了记录信息无遗漏现象的目的。     

低温下晶体管击穿电压的温度特性与分析

本文给出了从２００Ｋ到１０Ｋ低温下，硅双极晶体管击穿电压随温度而变化的实验结果，建立了理论模型，并对实验结果作出合理解释     

光致开路电压衰减法测量少数载流子的寿命

本文提出了一种测量少数载流子寿命的方法。先将样品做成p~+nn~+或n~+pp~+结,测量光致开路电压的衰减速率,然后用文中导出的理论公式计算少数载流子的寿命。实验结果表明,这种方法能有效地避免表面复合的影响。