排序方式： 共有2条查询结果，搜索用时 0 毫秒
1
1.
用反应离子刻蚀(RIE)剥层的微分霍耳法(DHE)对等离子体掺杂、离子注入制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品RIE剥层的DHE测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用反应离子刻蚀(RIE)剥层的DHE测试获得的杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,DHE具有良好的可控性与重复性.测试杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达nm量级. 相似文献
2.
蒋玉龙 《科技导报(北京)》2013,31(32):85-85
我在复旦大学读本科、硕士、博士时,聆听了许多老师的各种各样的课。当时觉得那些理工科基础课和专业课真的是难,几乎不可能在上课时就比较全面地掌握和理解老师讲解的知识点。由于课上没怎么跟上老师的思路,因此课外花了大量时间自修。可是,要靠自己的悟性来理解那些庞杂的知识点,效率不高,有时还会搞错。 相似文献
1