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董鸿飞 《内蒙古民族大学学报(自然科学版)》2011,26(5)
采用E-GOS方法对（46）（100-106）^Pd偶偶核形状相变进行了研究.研究表明,这些核素都是U（5）-SU（3）的过渡核,且都趋于U（5）极限.并且单粒子激发对区域偶偶核形状相变有重要影响. 相似文献
2.
采用E-GOS方法对质量数在A=80区的偶偶核^70-80Se、^72-84Kr和^78-86Sr偶偶核形状相变进行系统研究.研究表明,在低自旋时^70,72Se、^72-74Kr、^86Sr 5个核素趋于U（5）极限.^80Se、^76Kr和^80Sr 3个核素趋于O（6）极限.该区的其它核素是U（5）-O（6）的过渡核.单粒子激发对A=80区域偶偶核形状相变有重要影响. 相似文献
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利用本征函数法 (EFM方法 )计算了O1h 结构磁空间群第一布里渊区部分点的C—G系数 . 相似文献
4.
利用本征函数（EFM方法）计算了Oh^1结构磁空间群第一布里渊区部分点的C－G系数。 相似文献
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