0．28 MeV Zn离子注入GaInP／GaInAsP量子阱薄膜材料的损伤行为研究

对于GaAs衬底(100)面上用金属有机物气相淀积(MOCVD)技术外延生长的GaInP/GaInAsP 单量子阱,在室温下进行0.28 MeV的Zn 离子注入,选用的注量从1×1014～5×1014 cm-2.通过双晶X射线衍射光谱测量,定量地分析了由于离子注入所引起的晶格内应变.实验结果表明在所选用的注量下,由于离子注入引起的应变小于体材料GaAs的最大非弛豫应变值0.038,说明在这样的注入条件下,注入区的结晶态仍然保持地比较好.在较高注量下应变达到饱和,应变的饱和说明缺陷的产生和复合达到了平衡,从而形成了均衡的应变场分布.     

离子注入制备锐钛矿型Fe:TiO2薄膜紫外光、可见光和自然光催化效果研究

采用溶胶-凝胶法制备纳米Ti O2薄膜,然后用金属蒸汽真空弧(metal vapour vacuumarc,MEVVA)离子注入机注入从6×1015~6×1016cm24种注量的Fe离子,制备复合纳米Fe:Ti O2薄膜.用UV-Vis透射光谱和XRD对催化剂进行了表征.对薄膜在紫外光、可见光和自然光下降解甲基橙的光催化脱色效果进行了研究.