循环变形铜双晶体晶界邻域的位错结构特征

用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）观察了循环应变作用下（１３５）同轴非对称铜双晶体中的位错结构。结果表明,双晶晶界领域的位错结构特征不同于远离晶界的区域,一是低应变幅下晶界旁有低密度位错区的形成,二是驻留滑移带结构接近晶界时发生畸变。     

Cu双晶循环形变饱和位错结构

用透射电子显微镜研究了３种Ｃｕ双晶循环形变饱和位错结构，双晶标记为「１３５」／「１３５」，「２３５」／「２３５」以及「３４５」／「１１７」／。观察表明，双晶的饱和位错结构和其循环应力应变响应一致。。在「１３５」／「１３５」，「２３５」／「２３５」平行晶界双晶循环应力－应变曲线平台区，饱和位错结构基本上由驻留滑移 梯状结构和基体的脉络结构组成。     

Cu双晶的循环饱和位错结构——II.迷宫位错结构

用透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究了受循环应变载荷作用的Ｃｕ双晶中的迷宫形态位错结构。实验表明,迷宫位错结构由两组相互垂直的（００１）和（２１０）位错墙组成。其形成不仅与外加应变幅有关,而且取决于晶体中开动的滑移系统,与一组互相垂直的Ｂｕｒｇｅｒｓ矢量的位错密切相关。