高阻硅衬底MOS结构共面波导的偏压特性

提出一种新型高阻硅(电阻率ρ>8kΩ.cm)衬底MOS(metal-oxide-semiconductor)结构的凸起式共面波导。给出了其在50MHz～40GHz频段的插入损耗和回波损耗测试结果,以及在-40V～+40V直流偏压下散射参数的变化。结果表明,随着偏压的变化,回波损耗在Ka波段极值点的频率和幅值均会产生偏移,插入损耗极值点的频率基本没有偏移,只存在幅值偏移。共面波导的损耗偏移与MOS结构的Si-SiO2界面效应有关,在凸起式共面波导损耗的偏压实验中,观察到与传统MOS结构共面波导相反的曲线,并尝试给出了理论解释。该文设计的共面波导在35GHz下实现了小于-0.010dB/mm的损耗,优于Ka频段硅衬底共面波导已报道的结果。     

MEMS水平谐振式磁强计的建模与仿真

设计了一种基于洛仑兹力原理的水平谐振式磁强计.该磁强计利用了通电导线感应磁场强度并转化为电容值的方法进行检测,具有较高的灵敏度,结构相对简单,加工难度较小.建立了敏感元件的力学模型,推导了系统刚度、挠度、谐振频率和敏感度公式,并进行了有限元仿真,仿真结果与理论计算的挠度和谐振频率相吻合,验证了该方案的可行性和理论模型的合理性.