浅谈智能化系统在人防工程设备管理中的应用

人防工程内部设备依靠智能化自控系统的平台,进行各种参数检测、状态监测、数据处理、设备顺序控制、联动控制和工程内部参数控制,通过集中管理、分散控制的智能化管理,确定设备的最佳运行方案,提高设备的工作效率及工程的保障能力,且达到节能的目的。     

多孔氧化铝膜色彩特性研究进展

 介绍了利用阳极氧化法制备的氧化铝膜板（AAM）的色彩特性。利用阳极氧化法制备的AAM,其色彩分布于整个可见光区,不同的色彩主要来源于光的干涉现象。AAM 的这种特性可广泛应用于染色、彩色显示、装饰装潢、防伪、纺织工业等。人工制备AAM 彩色膜板得到研究人员的广泛关注,其制备方法包括：AAM 多层膜结构、金属覆盖AAM 结构、碳纳米管复合AAM 结构、沉积纳米线的AAM 结构等。从周期性氧化电压法制备周期性多层结构AAM 光子晶体开始,按照改善AAM 色彩饱和度方法的不同分为5 个部分,综述了近年来对AAM 色彩特性的研究进展。     

转动面内场作用下普通硬磁泡畴壁中垂直布洛赫线的消失

通过实验研究了转动面内场作用下普通硬磁泡(OHB)畴壁中垂直布洛赫线(VBL)的消失规律.结果发现,转动面内场作用下OHB畴壁中VBL的消失存在一个临界面内场范围[H(0)ip,Hip′],比不转动面内场时的临界面内场明显变窄,主要是由Hip′的迅速下降引起的.证明了面内场作用下VBL的最易消失方向为面内场与畴壁垂直的方向.     

直流偏场和温度联合作用下第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭

实验研究了第Ⅱ类哑铃畴(ⅡD)在直流偏场和温度联合作用下的自崩灭现象,发现第Ⅱ类哑铃畴的自崩灭存在一个与材料参量有关的自崩灭的偏场范围,并且该范围的上下限是温度的递减函数.此外,实验表明ⅡD的自崩灭过程是VBL链的突然解体,这为进一步研究直流偏场作用下VBL的消失机制提供了线索.     

垂直布洛赫线间静磁相互作用探讨

本文以实验现象为基础，利用想邻布洛赫线间的静磁作用能，改进圆柱形梗磁畴的畴壁能公式，公式中只使用了一个由实验数据拟合而确定的参数c。由一个典型样品得到的参数c，用于其它几个样品计算时，所得数据都与实验数据符合较好。从而使一些多年来一直不能解释的硬磁畴在直流偏磁场下的行为得到了统一的解释，特别是成功地解释了硬磁畴的一些温度特性，并首次提出垂布洛赫线元模型，从而首次热激发的观点解释了硬磁畴的自收缩现象。     

温度对第Ⅱ类哑铃畴畴长的影响

详细测量了第Ⅱ类哑铃畴在条泡转变标准场Ｈ＇ｓｂ和硬泡标准场Ｈ＇０处畴长Ｌ随温度的变化关系，证明了第Ⅱ类哑铃畴畴壁中垂直布洛赫线间平衡间距Ｓｅｑ随温度的升高而增大。