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用质子核磁共振(1HNMR)方法对等离子体化学气相淀积非晶氢化氮化硅薄膜(PECVD-α-SiNx:H)进行测量,分析膜中H的含量和分布与淀积温度、射频功率等工艺条件的关系,以及退火的影响。 相似文献
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用质子核磁共振(^1H NMR)方法对等离子体化学气相沉积非晶氢化氮化硅薄膜进行测量,分析膜中H的含量和分布与沉积温度、射频功率等工艺条件的关系,以及退火的影响。 相似文献
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该文测量了电应力作用下栅介质膜中陷阱电荷积累、以及在撤除应力后陷阱电荷减少的规律,在此基础上提出了解释脉冲应力下栅介质膜击穿寿命的模型。并对样品在直流电压与脉冲电压下的击穿寿命进行测量比较,发现随着脉冲频率的增加,栅介质膜击穿寿命增加,实验结果与模型预期的相符 相似文献
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