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利用光电化学方法和Ｘ射线衍射分析方法，研究了锂－氧化铜电池阴极还原反应，发现采用不同电流密度放电，该电池阴极过程有较大差别：放电电流密度较小时，电化学嵌入反应是主要的阴极过程；随放电电流密度的增大，经典的还原反应以越来越大的比例加入到放电过程中来，据此解释了文献报道中存在的一些矛盾现象。 相似文献
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锂—氧化铜电池反应机理：Ⅱ.交流阻抗法研究阴极过程 总被引：1，自引：1，他引：0
本文测量了锂－氧化铜电池和锂－氧化亚铜电池阴极阻抗随电位的变化，与前文［６］中报道的阴极光电流变化作了比较，根据能带理论解释了实验现象。结果表明，锂－氧化铜电池阴极过程中，阴极电位为２．５Ｖ（ｖｓ．Ｌｉ／Ｌｉ＾＋）时，电解液中锂离子开始嵌入氧化铜晶格；当阴极电位降到２．３Ｖ以下时，有后续反应发生，生成氧化亚铜等新相；氧化亚铜的还原开始于１．９Ｖ左右，还确定了锂电池体系中，氧化亚铜和氧化铜电极的平带 相似文献
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利用约束刻蚀剂层技术提高硅的化学刻蚀分辨率 总被引：1，自引：0，他引：1
高分辨率刻蚀技术对于微机械及微电子器件的加工具有十分重要的意义.虽然光刻技术仍处于主导地位,但近年来许多新颖的微加工方法相继问世.其中,扫描电化学显微镜(SECM)用于表面加工的研究颇受注目.SECM刻蚀的主要原理是,利用精密定位系统使微电极接近样品表面,微电极电生刻蚀剂,刻蚀剂扩散到样品表面发生刻蚀反应,产生刻蚀图样.SECM刻蚀分辨率主要取决于微电极的尺寸,但刻蚀剂的横向扩散往往会对SECM的分辨率产生较大影响最近,田昭武等人提出了一种可进行高分辨率微加工的新方法——约束刻蚀剂层技术(CELT).其主要思路是在溶液中加入可与电生刻蚀剂快速反应的“捕捉剂”,使刻蚀剂的寿命大幅度缩短,其扩散层急剧变薄,从而可使刻蚀反应具有高度的距离敏感性,刻蚀分辨率得到极大改善. 相似文献
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