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本文采用分子束外延(MBE)的生长方法,研究了单质碲(Te)和单质镁(Mg)分别作为n型和p型掺杂剂时在III-V族半导体GaAs中的掺杂行为,并且实现了以Te和Mg为掺杂剂的新型GaAs隧道结的生长.通过对生长温度、As4与Ga束流强度V/III比和掺杂剂束流强度的优化调节,获得了载流子迁移率较高且晶体质量良好的重掺杂的GaAs样品;在此基础上生长的新型n-GaAs(Te)/p-GaAs(Mg)隧道结的峰值电流密度高达21 A/cm2. 相似文献
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使用In,N分离的GaNAs/InGaAs短周期超晶格作为有源区是未来实现高效率GaInNAs基太阳能电池的重要结构之一.同时,考虑到具有1eV带隙的GaInNAs子电池的重要性以及与Ge衬底晶格匹配的优势,基于Ge衬底上的四结及多结太阳能电池无疑荣景可期.为在实验上较好地控制所需带隙,我们利用传输矩阵方法从理论上计算了实现1eV带隙下超晶格的周期数、垒层厚度以及In,N的浓度,并进一步讨论分析1eV带隙下的多个相关参数的对应关系以及超晶格的应变状态. 相似文献
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蛇床子素是从传统的中药蛇床子的果实中提取的香豆素类衍生物.在发达国家以及发展中国家,乳腺癌是发病率和致死率较高的女性肿瘤之一.本研究的目的是调查蛇床子素对人乳腺癌细胞的增殖、细胞周期以及凋亡的影响.蛇床子素的抗细胞增殖活性用MTF法测定.细胞周期的分布以及细胞凋亡用流式细胞术测定.本研究结果表明,蛇床子素对抑制乳腺癌细胞的增殖、促进G1期阻滞以及诱导细胞凋亡有明显作用.该结果提示有必要进一步研究和评估蛇床子素在乳腺癌治疗中的作用. 相似文献
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