圆柱形反应器鞘区离子平均动能的径向分布

针对鞘层结构,建立了鞘层模型和离子速度分布函数,导出了离子平均动能的积分表达式并得出数值积分的结果.用级数的两项拟合平均动能积分表达式的对数项,积分得到解析结果和简化结果.应用积分表达式、解析式及简化式进行计算,得出了圆柱形鞘层内不同位置(半径)处的粒子平均动能.结果表明鞘层越厚、粒子平均自由路程越小,则它们的差别越小.它们可有效地应用于散布在反应室各处粉体的刻蚀和纯化.     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发,将薄膜气相生长过程划分为五个步骤,基于对步骤的分析,得到了淀积过程的共同规律,建立了气相淀积生长速率的统一模型.代入有关参数和少数实验数据即可得到具体的实用模型.文中揭示的薄膜生长规律对于优选工艺方法和具体工艺参数具有参考意义.     

大功率变流器的均流分析

在仔细分析了变流器均流影响因素之后,提出了数学分析的方法与步骤.文中还研究了提高均流系数的方法,给出有关整流装置均流系数计算的详细步骤和结果,并列出算例的试验数据.     

三相整流桥中故障检测器输入讯号的分析

本文分析了整流器在不同换流重叠角时的桥臂反压波形及谐波分量.文中指出,要满足检测器与故障讯号源参数匹配,必须以桥臂反压的基波分量作为检测对象.     

束参数对离子束溅射法所淀积非晶硅电特性的影响

本文论述了用离子束溅射淀积非晶硅(a-Si)和氢化非晶硅(a-Si:H)的方法,提供了加速电压和衬底位置改变对薄膜暗电阻率的影响结果,通过有关淀积工艺条件的研究,得出了一些有用的结论。     

离子束溅射波积非晶硅的光特性研究

本文论述了应用离子束溅射淀积非晶硅薄膜及薄膜制成后的退火与氢化处理,讨论了薄膜光特性差异的机理和获得良好光特性的方法。文中提供了有关工艺参数、光电导和暗电导与温度的关系曲线以及光学参数。     

氢化非晶硅的离子束淀积研究

本文研究了影响离子束溅射淀积非晶硅薄膜的各种因素:真空室气氛,加速电压,衬底温度,几何位置及膜后处理;提出并论证了含氢等离子体对靶和薄膜的冶金效应是诸种因素中最直接和实质性因素的论点     

气相生长统一模型

从微观输运与化学反应动力学出发，将薄膜气相长生过程划分为五个步骤，基于对步骤的分析，得到了淀积过程的共同规律，建立了气相淀积生长速度的统一模型，代入有关参数少数实验数据即可得到具体的实用模型，文中揭示的薄膜生长规律对于优选工工艺方法和具体工艺参数具有参考意义。     

甲硅烷常压CVD淀积非晶硅研究

本文讨论了以甲硅烷为源,用常压CVD法(APCVD)制备非晶硅的设备改进及工艺优化,提供了一些实验结果.文中着重分析了CVD过程,讨论了在较低温度下获得高淀积速率的原因.     

大功率变流器故障的预测与检测

本文应用概率的方法,研究了大功率变流器中变流元件的损坏规律,指出,根据支路故障显示法可求出故障指示灯已亮灯数与整个设备变流元件损坏总数的统计关系,为合理选择检修周期提供了依据.文中还详细地分析了故障讯号源内阻抗随故障讯号引出点位置变化的规律,证明了1/(N-1)的引出方案最优.