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综合类

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出版年

2003年

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基于离子注入技术的GaMnN室温铁磁半导体制备及其表征 总被引：1，自引：0，他引：1

王基庆陈平平李志锋郭旭光 H.Makino T.Yao 陈弘黄绮周均铭陆卫《中国科学(G辑)》2003,33(2):126-131

通过离子注入技术制备出GaMnN三元磁性半导体材料．Raman光谱，x射线衍射和光致发光谱(PL)揭示了Mn在材料中的晶体结构与电子结构．这些基本表征结果表明注入的Mn占据了晶格位置，且多数形成了GaMnN三元相．超导量子干涉仪的测量结果表明合成的材料在室温下仍有铁磁性．磁化强度随温度的变化曲线表明材料中存在着不同的铁磁机制．相似文献