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红外光弹三向进光法研究硅晶片的应力状态   总被引:1,自引:0,他引:1  
本文根据双折射原理,采用红外光弹三向进光法,对硅晶片的二维应力状态进行测量和研究。测定了在器件加工中{111}和{100}硅晶片各层的主应力的大小和方向,并对测量误差、三个进光方向选定和测量结果进行了分析和讨论。  相似文献   
2.
研究了一种基于灰度数学形态学和二维小波变换的指节折痕特征提取和识别算法.该算法首先利用灰度形态学对指节折痕子图进行预处理增强,通过选择合适的结构元素来施行对指节折痕子图图像进行灰度形态学处理,大大地改善了折痕线的对比度,然后利用二维小波分解的方法将增强后的图像进行二维分解,得到不同分辨率和不同方向的小波变换子图,最后根据折痕线的分布特征选择所需子图并计算它们的不变矩构成特征矢量来表征指节折痕特征.实验结果验证了方法的有效性.  相似文献   
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