Ni_(100-x)P_x合金的X射线谱学研究

利用X射线吸收精细结构(XAFS)和X射线衍射(XRD)研究了化学还原法制备的不同磷含量的Ni_(100-x)P_x合金的原子和电子结构.结果表明,当x=10时,磷元素的掺入导致了NiP样品中fcc结构的镍晶格扭曲和膨胀,Ni-Ni第一近邻配位的键长约增加0.03 A.随着磷含量的增加,膨胀和扭曲加剧,当x达到14左右时,样品的fcc-Ni晶格被完全破坏,从而形成非晶态NiP合金.X射线吸收近边结构(XANES)的结果表明,低磷含量(x≤10)时NiP样品的电子结构没有明显的变化,随着磷含量的增加,Ni4p态的分布变得宽化和越来越弥散.而当x达到26时,有大量电荷从Ni原子转移到P原子.     

自组装Ge量子点热扩散效应的XAFS研究

利用荧光X射线吸收精细结构（X-ray absorption fine structure，XAFS）方法研究了分子束外延生长的自组装Ge／Si（001）量子点的扩散效应．原子力显微镜结果表明，在550℃的生长温度下形成了面密度为5．2×10^11 cm^-2的高密度小尺寸量子点．XAFS结果表明，生长的Ge量子点样品覆盖Si层后在550℃温度退火，对Ge／Si之间的热扩散混合的影响较小．随着退火温度升高到800℃，Ge原子的第一近邻配位壳层中的Ge-Si配位的无序度由4．0×10^-5 nm^2降低到2．9×10^-5 nm^2，配位数由3．3升高到3．8，这表明Ge量子点样品中的Ge原子的近邻主要为Si配位原子，高温退火显著增加了Ge原子在Si层中的扩散．     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga（1-x）MnxN（x=0．01，0．25，0．10）稀磁半导体中Mn原子的局域结构．结果表明在低Mn含量（摩尔浓度）的Ga0.990Mn0．010N样品中，Mn原子替代了GaN中的Ga，以替位形式存在．当Mn含量增加到0．025时，部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位，并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体．当Mn含量进一步增加到0．100时，样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在．     

XAFS在凝聚态物质研究中的应用

详细介绍了X射线吸收精细结构谱学(XAFS)的理论、数据分析及实验等基本原理,以及XAFS在薄膜、纳米结构和体相材料(包括半导体、合金以及复杂氧化物)等凝聚态物质研究中的应用;同时,还介绍了原位XAFS、微区XAFS和时间分辨XAFS等新的实验方法,并对该方法的应用前景进行了展望.     

XAFS在凝聚态物质研究中的应用

详细介绍了X射线吸收精细结构谱学（XAFS）的理论、数据分析及实验等基本原理，以及XAFS在薄膜、纳米结构和体相材料（包括半导体、合金以及复杂氧化物）等凝聚态物质研究中的应用；同时，还介绍了原位XAFS、微区XAFS和时间分辨XAFS等新的实验方法，并对该方法的应用前景进行了展望．     

用XANES研究Ga1-xMnxN稀磁半导体的Mn原子的局域结构

利用基于实空间多重散射的XANES研究了Ga1-xMnxN(x=0.01,0.25,0.10)稀磁半导体中Mn原子的局域结构.结果表明在低Mn含量(摩尔浓度)的Ga0.990Mn0.010N样品中,Mn原子替代了GaN中的Ga,以替位形式存在.当Mn含量增加到0.025时,部分Mn原子处于被4个Ga所包围的间隙位,并与替位Mn原子形成了MnGa-Mn1二聚体.当Mn含量进一步增加到0.100时,样品中的Mn原子主要以Mn团簇形式存在.