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1
1.
一种CMOS过热保护电路
总被引:6,自引:0,他引:6
游轶雄
刘正
徐永晋
王健
《上海大学学报(自然科学版)》
2002,8(4):293-296
提出了一种用于集成电路内部的过热保护电路。采用0.6цmn阱互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺的spectre仿真结果表明,此电路对因电源电压、工艺参数变化而引起的过热保护阈值点漂移有很强的抑制能力。通过引入反馈的方法解决了过热保护电路中热振荡带来的危害。
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