p—GaP欧姆接触的特性及其冶金性质

本文研究了用Au-Be合金材料制备p-GaP欧姆接触电极的最佳条件.报道了接触电阻、L-V特性以及用SEM观察电极表面形貌的实验结果,并对获得较低接触电阻的电极有关冶金性质进行了分析.进而,改进了在p-GaP外延层制备欧姆电极的工艺技术,在540℃-560℃温度范围内制得多批I-V特性好、大约1×10~3Ω·cm~2低接触电阻的发光二极管.     

铒近红外发光的瞬态特性

报道了用分舟热蒸发研制的掺铒硫化锌薄膜器件的电致近红外发光的瞬态特性,首次运用多段式指数衰减公式与高斯函数复合,描述薄膜发光的瞬态过程,理论结果与实验数据十分接近,证实薄膜的定域能级对器件的弛豫发光产生了影响．     

GaP:N外延层特性的研究

本文研究了生长条件对GaP:N外延层的形貌、生长速率、位错密度、S坑密度、氮浓度、少子寿命的影响。实验表明,外延层中的氮浓度、少子寿命随外延生长起始温度的升高而增大。用GaN作为掺杂氮源,在1037—980℃温度范围生长的外延层中氮浓度不高于5.6×10~(17)cm~(-3);LEC GaP衬底(τ_m～5ns)上在995—900℃温度范围生长的外延层,其少子寿命可达～130ns。外延层中的位错密度和衬底中大体相同,但S坑密度降低一个数量级。     

半导体三元化合物ZnGeAs_2的制备及物理化学性质的研究

本文叙述采用垂直定向结晶方法可以实现ZnGeAs_2化合物形成的不间断过程.化合物满足四面体相生成规则,且被得到单相样品;综合的物理化学的研究证实了样品的单相.在单相的、载流子浓度为n=3.5×10~(18)厘米~(-3)的样品上进行了物理性质的测试,并指出ZnGeAs_2是禁带宽度为0.85电子-伏特的半导体。     

磷化镓晶体中缺陷及其成因的探讨

在七种常用腐蚀液对比实验的基础上,选取RC腐蚀液,将使用条件作适当改进,既能清晰显示GaP晶体(Ⅲ)P面、又能显示(Ⅲ)Ga面上的多种缺陷。通过重复腐蚀和逐层腐蚀实验弄清了这些缺陷的形貌特征与识别方法。用红外显微镜和电子显微镜观察与研究清洁位错和缀饰位错。实验发现晶体中缺陷分布的规律,并发现加磷压的高温热处理有助于减少LEC GaP晶体中微缺陷。文中分析和探讨了微缺陷的成因与本质。