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1.
Gd/FeMn磁性薄膜交换偏置特胜研究
毛璐俊
曾文理
焦志伟
《科技信息》
2012,(34):2-3
本文采用直流磁控溅射方法制备Ta/Gd/FeMn/Ta多层膜,研究不同温度下样品的磁滞回线和磁性。研究表明。Ta/Gd/FeMn/Ta多层膜的交换偏置场随测量温度的升高由负值逐渐变为正值,矫顽力随测量温度的升高而减小,当温度接近或超过Gd的居里温度时矫顽力和交换偏置场均消失。出现上述现象的原因是铁磁层Gd的易磁化轴随温度的变化而变化所致。
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