复杂多层结构的二次离子质谱定量深度分析

讨论了用ＣＡＭＥＣＡＩＭＳ－４ｆ型二次离子质谱仪对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ复杂多层结构定量深度分析的方法。采用ＣｓＭ＋技术，完成了无外部参考物质ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ基体成分定量分析，提出并实验验证了一种新的变溅射速率深度校准方法，详细讨论了复杂基体中对杂质进行定量分析时二次离子类型的选择，还尝试了在缺乏足够参考物质时杂质含量的实验估算。实现了二次离子质谱（ＳＩＭＳ）对复杂多层结构的定量分析，同时得到了主成分和杂质的定量深度分布，并保持了ＳＩＭＳ的优良深度分辨本领。     

标准漏孔的校准

本文讨论了标准漏孔的校准方法,介绍了一台可供原始标准漏孔校准的真空系统的 设计,导出了量测误差的公式,并进行了量测误差的分析。根据大中给出的一组曲线, 可综合考虑被校漏孔的漏量,量测精度、量测真空度的选择和所需量测时间的关系。 对于１０－６－１０－７ 毫升／秒量级的漏孔,漏量校准值的误差可低于 １０％,因此可以 在此范围内进行原始标准漏孔的研究。     

用四极型SIMS对砷化镓中硅定量分析的研究

ＧａＡｓ中Ｓｉ的定量分析是典型的ＳＩＭＳ分析课题，有明确的应用背景。文中对影响ＳＩＭＳ定量分析的一些基本因素进行了实验研究，用Ｏ２＋源和Ｃｓ＋源对均匀掺硅和离子注入硅的ＧａＡｓ样品进行了定量分析，考察了实验的稳定性。     

质谱探漏仪的灵敏度及其核准

质谱探漏仪的灵敏度是仪器最重要的性能指标。本文研究和评述了目前已收集到的各种质谱探漏仪灵敏度的定义和校准方法,并根据我们在这方面进行的实际工作提出了一个较严格的质谱探漏仪灵敏度和浓度灵敏度的定义以及相应的校准方法。利用一支白金丝玻璃型标准漏孔和一台简单的配置系统即可在１０－６—１０－１３乇·升／秒的范围内严格按照定义方便地校准仪器灵敏度、浓度灵敏度,并可研究仪器的输出指示与漏量的线性关系、灵敏度与工作状态（如工作压强、扩散泵加热功率…等）的关系,最后介绍了这些概念和校准方法的一些实际应用举例。     

白金丝玻璃型标准漏孔气流特性的研究

本文主要根据校准质谱探漏仪灵敏度的需要,同时;兼顾了其他真空量测技术对标准 漏孔的要求,讨论了标准漏孔的方案选择和白金丝玻璃型标准漏孔的结构设计。从理论 上对白金丝玻璃型漏孔的气流特性进行了研究。系统的实验结果表明：对这种漏孔所导 出的漏量与漏气端压强、漏孔的几何尺寸、环境温度、以及流过气体种类的关系都是正 确的。同时对这种漏孔的稳定性进行了实验研究。根据对这种漏孔气流特性的理论分析 和实验研究的结果,作者认为工艺较为简便的白金丝玻璃型漏孔可以作为校准质谱探漏 仅用的标准漏孔,并可在相应的真实量测技术中应用。 根据理论分析和实验研究的结果,作者在附录中对Ｇｕｔｈｒｉｅ 给出的经常为人们所引 用的关于通过漏孔气流特性公式的正确性进行了讨论。     

第一届全国二次离子质谱学(SIMS)会议在清华大学召开

SIMS会议于1993年5月31日到6月5日在北京清华大学举行。会议由中国真空学会、中国科学院表面物理实验室、电子工业部第46研究所、中国空间技术研究院兰州物理研究所、复旦大学和清华大学联合发起和主办,由清华大学、中科院表面物理实验室和电子部46所承办。 SIMS是近20余年来迅速发展起来的一门新兴交叉学科。我国二次离子质谱学的研究只有十几年,现已取得了显著的进展。会议目的是为了推动我国SIMS的进一步发展。会议内容包括:基础研究;仪器进展,包括四级、磁偏转和飞行时间SIMS,激光SIMS,聚焦离子束,溅射中性粒子质谱(SNMS)及相…