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1.
一、前言在各种精密测量中(如微振动的测量、全息照相、引力波探测等等),必须设法减少外来振动与冲击测量对装置的影响。振动是一个连续过程,往往是由于旋转的机械装置与往复运动的机械装置所引起,它们使测量装置产生一个稳定的振动,即所谓强迫振动。冲击是一个短暂的过程,往往是由于突然受力、力突然增加或速度矢量突然改变等原因,使测量装置的平衡状态破坏而作有衰减的自由振动。减振与减冲击常用方法有:在要求减振的装置与振源(往往是地面)之间放置  相似文献   
2.
均匀吸收介质层的椭圆偏振光谱方法及其应用   总被引:1,自引:0,他引:1  
本工作研究了均匀吸收介质层的椭圆偏振光谱,提出一种处理数据的方法,并应用于溅射无定形硅膜层、离子注入硅及其退火效应,得到一些新的实验结果.  相似文献   
3.
本工作主要着眼于锗硅合金(Si_(1-x) Ge_x∶H)红外吸收谱的某些变化和生长参数的关系,以寻求较合适的生长条件.实验中改变的参数有三个:锗含量,衬底温度,射频功率.我们首次观察到空气中的氧能扩散进某些条件下生长的锗硅合金膜.样品的制备和测量所用无定形锗硅合金膜,是在射频辉光放电中分解一定体积比的硅烷(SiH_4)和锗烷(GeH_4)淀积而成.硅烷、锗烷的纯度为99.999%,水和氧的含量都少于五百万分之一.红外测量的样品是淀积在粗抛过的高阻硅单晶片上.用涡旋分子泵把真空室抽空至真空度高于3×10~(-8)乇,然后通进硅烷和锗烷,按所要求的体积比进行混和,并把总压力固定在0.25乇.锗的含量x 在0和0.75之间变化,衬底温度在228—  相似文献   
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