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均匀吸收介质层的椭圆偏振光谱方法及其应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本工作研究了均匀吸收介质层的椭圆偏振光谱,提出一种处理数据的方法,并应用于溅射无定形硅膜层、离子注入硅及其退火效应,得到一些新的实验结果. 相似文献
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林树汉 《中山大学学报(自然科学版)》1985,(2)
本工作主要着眼于锗硅合金(Si_(1-x) Ge_x∶H)红外吸收谱的某些变化和生长参数的关系,以寻求较合适的生长条件.实验中改变的参数有三个:锗含量,衬底温度,射频功率.我们首次观察到空气中的氧能扩散进某些条件下生长的锗硅合金膜.样品的制备和测量所用无定形锗硅合金膜,是在射频辉光放电中分解一定体积比的硅烷(SiH_4)和锗烷(GeH_4)淀积而成.硅烷、锗烷的纯度为99.999%,水和氧的含量都少于五百万分之一.红外测量的样品是淀积在粗抛过的高阻硅单晶片上.用涡旋分子泵把真空室抽空至真空度高于3×10~(-8)乇,然后通进硅烷和锗烷,按所要求的体积比进行混和,并把总压力固定在0.25乇.锗的含量x 在0和0.75之间变化,衬底温度在228— 相似文献
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