GaAS_xP_(1-x)混晶长波光学声子

本文用REI(random-element-isodisplacement)模型(随机元素等位移型),计算GaAS_XP_(1-x)混晶长波横光学声子频率。而且,在MREI(modified random—element—isodisplacement)模型基础上,利用纵模的经验关系,计算长波纵光学声子频率。计算结果给出的GaAS_XP_(1-X)混晶全组分X的光学声子频率理论曲线与实验值符合。     

硅喇曼光谱研究

对于由晶格振动所调制的喇曼声子谱,如果不考虑非简谐效应,则声子频率不随温度的变化而变化,即频移不随温度改变。但是,实验指出频移和线宽跟温度有关,温度上升频移减小,线宽增大,这种频移和线宽对温度的依赖是由声子相互作用过程中的非简谐性引起的,即晶格振动势能的三次方以上的贡献。Hart等人用微扰理论建立三声     

Ga_(1-x)Al_xAs半导体的T0声子形变势引起共振喇曼散射

研究了Ga_(1-x)、Al_xAs 半导体的TO_1和TO_2声子的共振喇曼散射。利用半导体带隙随温度变化,使它与固定激光线调谐,曲此完成共振散射实验。按准静态近似计算共振散射曲线,并从微观散射机制讨论共振曲线最大值偏移,较好地解释实验结果。从实验中求出x=0.71和x=0.61 两种样品的直接带隙E_0 分别为2.44 eV和2.31 eV。     

偏硼酸钡低温相晶体的喇曼光谱研究

本文研究了偏硼酸钡[Ba_3(B_3O_6)_2]低温相晶体的一价Raman散射。文中通过分开内振动模和外振动模来识别这个分子晶体的晶格振动,用相关方法完成了晶体的对称性分析。并给出背散射图,说明了要观察此晶体Γ点的所有声子的几何配置。按此方法分析了该晶体的Raman光谱。     

用喇曼光谱研究半导体带隙和合金组分

阐述了从喇曼光谱测量三元化合物半导体的双模频移和双模强度比率来确定含金组分。提出了由共振喇曼散射研究半导体的能带结构。实验观测了半导体 GaP在间接带隙(Γ_8?—Χ_(3c))附近的2TA和2TO双声子共振特性。实验表明共振喇曼散射可以测定半导体的直接带隙和间接带隙。     

电容式聚酰亚胺薄膜湿度敏感器的研究

阐述了电容式聚酰亚胺薄膜湿度敏感器的结构和性能，分析讨论了它的感湿机理，并用一种指数函数方法对敏感器的非线性进行线性化处理。     

Ga_(1-x)Al_xAs晶体的2LO和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射

本文研究了Ga_1～xAlxAs晶体的LO、2LO和LO_1+LO_2声子的共振喇曼散射。为了选择带隙对固定激光线调谐的可能性,借助于禁带宽度随Ga_(1-x)AlxAs的组分x而变化以及半导体能带的温度效应来完成本测试工作。用Frohlich耦合机理解释了选择定则禁止的LO声子散射。2LO(Г)和LO_1+LO_2双声子共振喇曼散射都解释为Frohlich相互作用引起的重迭电子一单声子散射过程。测量结果得出室温时Gao.3Alo,7As的直接带隙E_0为2.43eV。     

用分区变分法计算锗晶体的能带

本文介绍不计自旋轨道耦合,用分区变分法计算锗晶体的价带和低导带在布里渊区对称点Γ、Χ和L的能量,所得的能量值与主要能级间距数值同现有的理论计算与实验值基本相符。并讨论了原子球半径、球外势场在整个空间的平均值对计算结果的影响。