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1.
利用硬脂酸凝胶法制备了SiO2-Y2O3-TiO2复合材料.通过差热-热重分析、X-射线粉末衍射以及傅立叶变换红外光谱等表征手段对所得前驱体及烧结产物的性质进行了研究.结果表明该材料在中、远红外区具有较强吸收,在近红外有很好的反射,可以起到显著的隔热降温效果.  相似文献   
2.
低毒性磷化铟量子点(indium phosphide quantum dot, InP QD)作为最有可能取代有毒重金属镉基量子点的材料, 已经在下一代商业显示和照明领域中显示出巨大潜力. 然而, 合成具有高荧光量子产率(photoluminescence quantum yield, PL QY)的InP QD 仍然具有挑战性. 因此, 提出了以乙酰丙酮镓作为镓源, 在高温下通过乙酰丙酮基对表面配体的活化作用, 生成具有梯度合金核的 In$_{1-x}$Ga$_{x}$P/ZnSe/ZnS 量子点, 有效解决了原有的 InP 与 ZnSe 之间晶格失配的问题; 同时减少核壳界面缺陷, 使量子点的荧光量子产率高达 82%, 所制备量子点发光二极管(quantum dot light-emitting diode, QLED)的外量子效率(external quantum efficiency, EQE)达到 3.1%. 相比传统的 InP/ZnSe/ZnS 结构量子点, In$_{1-x}$Ga$_{x}$P/ZnSe/ZnS 量子点荧光量子产率提高了 25%, 器件的外量子效率提高了近一倍. 该方案为解决 InP 量子点荧光量子产率低、发光器件性能差等问题提供了新的思路.  相似文献   
3.
在900℃高温条件下,合成了一系列Ce3+,Eu2+以及Tb3+掺杂Ca2BO3Cl荧光粉.该荧光粉在紫外及蓝光区域有较强的吸收,产生了以Ce3+Eu2+以及Tb3+为发光中心的荧光,其发射峰分别位于416nm,570nm及544nm处.荧光谱图数据表明:以Ca2BO3Cl为基质的荧光粉中存在着Ce3+→Eu2+的能量传递.并且通过调节Eu2+浓度的量,该荧光粉在紫外激发下可以产生从冷白光到暖白光不同的光.这同时也说明该荧光粉在白光发光二极管中具有潜在的应用价值.  相似文献   
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