衬底处理方式对电化学法制备的BaWO_4多晶膜形貌的影响

采用恒电流型电化学工艺,控制适当的电化学反应条件,分别在酸腐蚀的钨片和机械抛光的钨片上制备了BaWO4多晶膜.运用XRD,SEM测试手段分析表征了产物的晶相和表面形貌,结果表明,在相同的电化学条件下,机械抛光这种衬底处理方式可以较为有效地改善BaWO4多晶膜的表面平整度和均匀性.     

电化学方法制备Ba_(1-x-y)Sr_xCa_yWO_4晶态薄膜的相关机制分析

基于本组采用恒电流技术、直接在金属钨片上以电化学方法制备具有白钨矿结构的钡、锶、钙(包括其复合体系)钨酸盐(Ba1-x-ySrxCayWO4)薄膜的实验研究,分析了利用电化学方法制备功能薄膜中的成膜机制,讨论了晶态薄膜电化学制备过程中的电流密度、电解液酸度、沉积温度和溶液浓度等工艺条件对薄膜形成的影响.该研究结果对利用电化学方法制备相关薄膜也具有重要参考价值.     

电化学沉积时间对CaMoO_4薄膜制备影响研究

采用恒电流电化学制备技术,在高纯金属钼基体上直接制备了白钨矿结构的CaMoO4薄膜.研究发现电化学沉积时间对薄膜的表面形貌、晶格参数、薄膜附着力等有重要的影响,为了沉积出结晶良好、附着力较强的CaMoO4多晶薄膜,将沉积时间控制在工作电极电位达最大值所需时间附近比较好.     

室温电化学制备的SrWO_4多晶膜的团簇生长实验研究

采用室温恒电流电化学技术,在含Sr2 的碱性溶液中制备出了结晶良好的、形貌可控的Sr WO4多晶膜,研究了电流密度、电极间距和衬底的处理方式,对Sr WO4多晶膜的团簇生长的影响及产生的原因.SEM分析表明,在不同的条件下,多晶膜的团簇生长行为也会有所不同.实验结果表明电流密度是影响沉积膜形貌的最主要因素,当它降到0.05mA/cm2时团簇会消失,Sr WO4多晶膜呈现层状或近层状生长;电极间距也是影响沉积膜形貌的主要因素,当它达到4.5cm时团簇已经基本消失;衬底的粗糙程度也会影响沉积膜形貌,但相对于电流密度和电极间距来说,影响的程度要小得多.作者认为,生长团簇的出现是由于材料的结构特性、晶体生长的物理化学条件等综合因素的影响而产生的.     

电势零点的选择前提

对不同情况下电势零点的选择进行了分析，确定了选择电势零点的前提。